در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

در این پژوهش، به ساخت و بررسی تخلیه سد دی الکتریک میکرومتری در فشار اتمسفری پرداخته شده است. بدین منظور به صورت کلی پلاسمای اتمسفری معرفی و سپس میکروتخلیه های فشار اتمسفری که در طبقه پلاسماهای اتمسفری غیر حرارتی قرار دارند بررسی شده است. از میان میکروپلاسماها، ویژگی-ها،مبانی فیزیکی وشرایط ارائه میکروتخلیه های کاتد با حفره میکرومتری (mhcd) در فشار اتمسفری بررسی شده است. در ادامه روند ساخت سیستم ...

بلورهای فوتونی به دلیل قابلیت کوچک سازی، ظاهراً تنها راه دستیابی به مدارات مجتمع نوری هستند. خمش های بلور فوتونی و تقسیم کننده ها در زمینه فشرده سازی نوری ، نقش کلیدی در ارتباط با بلوک های ساختاری مختلف در تراشه های یکپارچه نوری دارند. بنابراین، بررسی انواع تقسیم کننده ها و رسیدن به تقسیم کننده هایی با تلفات کمتر و بازده بیشتر، از اهمیت خاصی برخوردار است. در این پایان نامه، ساختار بلور فوتونی د...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این پایان نامه نحو? تنظیم شوندگیِ فیلترینگِ بلور های فوتونی یک بعدی بررسی و توسط روش المان محدود شبیه سازی شده است. ابتدا ساختارهای بلور فوتونی با حفره های هوا در نظر گرفته شده است و تأثیر تغییرات ساختاری بر روی مشخصات فیلترینگ بحث شده است. اثر تغییر در انداز? حفره ها، فاصل? میان حفره ها و طول کاواکِ حاصل از نقص بر نحو? فیلترینگ این ساختارها بررسی و برای دو ساختار با حفره های با سطح مقطع دایروی...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

در سال های اخیر آنتن یاگی یودا چاپ شده بر روی برد مدارچاپی به طور گسترده ای مورد بررسی قرار گرفته است. این نوع آنتن ها بدلیل خواص تشعشعی مناسب و پهنای باند وسیع در بسیاری از کاربردهای سیستم های مخابراتی مانند رادارهای پیشرفته، شبکه های مخابرات بیسیم و آرایه ها مورد استفاده قرار گرفته اند. در این پایان نامه یک آنتن شبه یاگی ریزنوار با استفاده از زیر لایه با ثابت دی الکتریک پایین طراحی، شبیه سا...

در این مقاله، نانومیله های اکسید وانادیم با استفاده از کلرید آمونیوم و متاوانادات سدیم با نسبت مولی مساوی به روش هیدروترمال تولید شد. اثر زمان و مقدار افزودنی اتیلن دی امین تتراستیک اسید edta بر مورفولوژی و ترکیب ذرات مشخص شد. غلظت بهینه edta برابر 007/0 گرم بر سانتیمتر مکعب و زمان مطلوب 24 ساعت به دست آمد.