در این پایان نامه، با بهره گیری از ویژگی های ترانزیستورset، ساختار جدیدی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر ساختار folding ارائه می شود و با مقایسه بین ساختار پیشنهادی و ساختارهای پیشین مشاهده می شود که فرکانس نمونه برداری بهبود یافته و از طرف دیگر تلفات توانی و تعداد اجزا به کار گرفته شده در ساختار کاهش چشم گیری داشته است. البته با به کار گیری مدار ترکیبی set/cmos در ساختار پیشنهادی شاهد بهت...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مو...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

چکیده ندارد.

چکیده یک مدار منطقی ترکیبی، یک شبکه سخت افزاری است که بر مبنای گیت های منطقی طراحی می شود و نیازهای توابع منطقی را برآورده می سازد. برای افزایش کارایی و کاهش هزینه مصرفی در تولید، معیارهای بهینه سازی مانند تعداد گیت و ترانزیستورهای مصرفی در نظر گرفته می شود. روش های مختلفی در این زمینه برای پیدا کردن نقاط کمینه در نظر گرفته شده است، که معروف ترین روش های بهینه سازی روش جدول کارنو و الگوریتم ...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

سیستم تنفسی بر مبنای گیت برای تومورهای نواحی که تحت تاثیر حرکات تنفسی اند بالقوه با کاهش حاشیه های اطراف تومور که منجر به کاهش نرخ پیچیدگی و عوارض و یا افزایش کنترل روی تومور می شود. تنفس برمبنای گیت به بیم درمانی امکان همزمانی سیکل تنفسی بیمار را می دهد. بیمار برای کاهش دوز رسیده به ارگان های مشخص در زمان بهینه در طول سیکل تنفسی خود تحت درمان قرار می گیرد.هدف از سیستم گیت، کاهش دوز رسیده به با...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...