نتایج جستجو برای: رسانش ویژه

تعداد نتایج: 60244  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

ژورنال: اکو هیدرولوژی 2018

در بیشتر کارخانه‏ها، برج‏های خنک‏کن جزء کاربردی‏ترین تجهیزاتی هستند که برای حذف حرارت اضافی در فرایند و پس‏دادن آن به محیط استفاده می‌شوند. مقالۀ حاضر یک مرور اجمالی بر روش‏های نوین در حوزۀ تأثیر انواع نانوسیالات بر بهبود خواص حرارتی و کاهش میزان هدررفت آب است. نانوسیالات می‏توانند خواص حرارتی همچون ظرفیت گرمایی ویژه و ضریب رسانش حرارتی را بهبود بخشند و سبب افزایش ویسکوزیته و چگالی در مقایسه با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم پایه 1392

فناوری¬های نوین هم¬اکنون سهم چشمگیری را در پیشرفت صنایع شیشه¬سازی به خود اختصاص داده¬اند. امروزه توجه بسیاری از کارخانجات و صنایع گوناگون مرتبط به استفاده از این فناوری¬ها برای گسترش دادن شیشه هوشمند، هر چه بیشتر از پیش شده است. بررسی شیشه¬های هوشمند که برتری¬های شایان توجهی نسبت به سایر شیشه¬ها دارند، از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است. در این پایان نامه نخست ویژگی¬های عمده شیشه را برشمردیم و سپس م...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
رضا شکوری r shakouri irananian national center for laser science and technology, tehran, iranمرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، تهران حسن حیدری h haydari imam khomeini international university, qazvin, iranدانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)، قزوین

در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های  توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی 250 درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی  اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1389

در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

Journal: : 2022

هدف: با توجه به رشد روزافزون آموزش شیوه مجازی و ویژه در شرایط گسترش پاندمی کرونایروس، نقش اساسی مدیریت کلاسی ارتقا کیفیت باید مورد قرار گیرد این پژوهش هدف تدوین مدل رابطه علّی هدفمند کلاس وضعیت روان‌شناختی پیامدهای تحصیلی دانشجویان انجام شد. روش: روش بر حسب هدف، کاربردی ماهیت از نوع توصیفی - همبستگی بود. جامعه آماری مشتمل انواع مقاطع دانشگاه­ های دولتی پیام نور شهر تهران نمونه اساس جدول مورگان ب...

ترکیب بین فلزی �تیتانیوم آلومیناید با هدف بکارگیری به عنوان بدنه متخلخل مستحکم به روش سنتز احتراقی خود گستر ایجاد شد. از پودر تیتانیوم و آلومینیوم� به عنوان مواد اولیه استفاده شد. مواد اولیه در یک آسیاب با یکدیگر مخلوط شده و سپس به روش پرس سرد از آن قطعاتی تهیه گردید. قطعات حاصل تحت گرمایش با نرخ 500 درجه بر دقیقه قرار گرفت و موج احتراق در آنها مشاهده شد. در این تحقیق فشار پرس جهت ساخت قطعات خا...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

ژورنال: بسپارش 2021

در این مقاله به معرفی ساختار و خواص غشای تبادل پروتون نفیون به­عنوان رایج‌ترین غشای استفاده­شده در فرایندهای الکتروشیمیایی و جداسازی پرداخته شده است. بدین منظور، در ابتدا خانواده‌ غشاهای پرفلوئوروسولفونیک اسید معرفی شده که نفیون مهم‌ترین عضو آن است. سپس، مراحل سنتز نفیون همراه با جزئیات و چالش‌ها و نیز ساختار نفیون و شکل­شناسی آن در مرحله‌ بعد بحث و بررسی شده است. روش نام‌گذاری انواع غشاهای نفی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید