نتایج جستجو برای: ساختار های الکترومغناطیسی دارای باند ممنوعه

تعداد نتایج: 530771  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

پوشش های الکترومغناطیسی یکی از زمینه های نوین و گسترش یابنده دانش امروز هستند. هدف اصلی cloaking پوشاندن یک جسم با ماده ای دارای ویژگی های خاص برای پنهان ساختن جسم است. با منحرف ساختن پرتوهای موج یا جبهه موج می توان به این هدف رسید، بگونه ای که این پرتوها در اطراف جسم به آرامی و یکنواخت خم می شوند و پس از گذشتن از جسم دوباره مسیر اصلی خود را پی می گیرند و این گمان را می سازند که فضا تهی است و ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده مهندسی 1392

استفاده از فناوری های کم هزینه و با عملکرد بالا برای سیستم های تجاری با عرض باند بالا و در فرکانس های مایکروویو و موج میلیمتری لازم و ضروری است. فناوری موجبر مستطیلی همچنان به عنوان یکی از گزینه های اصلی در مدارات فرکانس بالا مطرح است، اگرچه ساخت آن پرهزینه و زمان بر است. از سویی دیگر فناوری مدارهای مسطح با ضریب کیفیت بالا از اهمیت بالایی برخوردار است. در این پایان نامه به بررسی دو نوع فیلتر په...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی 1390

طی چندین دهه گذشته الکترونیک در حوزه نور از اهمیت و?ژه ای برای محققان برخوردار بوده است. کریستال های فوتونی یکی از بسترهای مناسب برای استفاده در الکترونیک نوری هستند. یکی از مهمترین مزایای کریستال های فوتونی، وجود باند ممنوعه در آنها است. با استفاده از این خاصیت ذاتی می توان به کاربردهایی چون فیلترهای نوری، کلیدهای نوری و دیگر قطعات همانند، دسترسی پیدا کرد. یکی از موارد کاربرد کریستال فوتونی، ح...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
مهران نظری دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق جواد یاوند حسنی دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده ادبیات و زبانهای خارجی 1392

چکیده: فرضیه برون داد و فرضیه برجسته سازی داده دو نظریه از نظریه های اصلی فراگیری زبان دوم هستند که منشا مطالعات و تحقیقات زیادی بوده اند و نتایج متفاوتی در بر داشته اند. از سویی نظریه برون داد به همراه عملکرد هایش محققان زیادی را وادار به انجام تحقیقات مختلف کرده است که به طور کلی نتایج این تحقیقات نشان دهنده ی نقش مثبت این نظریه در فرگیری زبان دوم می باشد. از سوی دیگر محققان بسیاری سعی کرده ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

یکی از مواردی که استفاده از سیستمهای رادیو ضربه فراپهن باند یا ultra wide-band (uwb) را محدود می کند مشکلات کار توأمان آن ها با سیستمهای باند باریک با باند فرکانسی مشترک است. در این تحقیق ابتدا روش هایی که تاکنون برای رفع این مشکل گزارش شده بررسی و سپس یک پالس جدید ارائه می گردد. این پالس از انتقال طیف مشتق اول پالس گوسی به فرکانس های بالاتر بدست می آید به طوری که در طیف پالس حاصل، یک دامنه صفر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1391

بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نوری و میکروکاواک ها جذب کرده است. با در نظر گرفتن کاربردهای بسیار وسیع قطعات اپتیکی بدست آوردن بلورهای فوتونی قابل تنظی...

سازگاری و تداخل امواج الکترومغناطیس جزو ویژگی­‌های کلیدی مواد در اهداف نظامی و تجاری مرتبط با امواج الکترومغناطیسی است. در حال حاضر اهمیت حفاظت در برابر تداخل امواج الکترومغناطیسی در ارتباطات بدون سیم و سامانه­‌های ETC افزایش یافته است. به­‌طور کلی قابلیت مواد در جذب امواج الکترومعناطیس به خواص ذاتی الکترومغناطیسی مواد (مثل رسانایی، نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی یا ثابت دی‌­الکتریک) و نیز ویژگی­‌...

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید