در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این پایان نامه، یک گیرنده ابر بازتولیدی برای استفاده در سیستم های تصویر برداری موج میلی¬متری طراحی و شبیه سازی شده است. هدف از انجام این تحقیق، کاهش توان مصرفی گیرنده ابر بازتولیدی می باشد. معماری ابر بازتولیدی به جهت مصرف توان پایین و تعداد قطعات کم انتخاب شده است. مهمترین بخش مصرف کننده توان در گیرنده ابر بازتولیدی، نوسان گر آن است. با بهره بردن از نوسان گر زوج متقاطع cmos، توان مصرفی این ...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

چکیده ندارد.

آزمایشات نشان می دهد که وقتی چگالی گاز حامل کم باشد سیستم رفتار عایق گونه از خود نشان می دهد(با افزایش دما رسانندگی افزایش می یابد) و وقتی چگالی گاز حامل بیشتر از مقدار بحرانی باشد رفتار فلز گونه مشاهده می شود. چگالی بحرانی (nc) ، مرز گذار فلز - عایق را مشخص می کند. در رهیافت های متفاوتی که تاکنون در مطالعه ی این پدیده ی فیزیکی استفاده شده است کل گاز حامل شبه دوبعدی با تقریب یک سیستم دو بعدی د...

In this paper, analytical models for NBTI induced degradation in a P-channel triple gate MOSFET and HCI induced degradation in an N-channel bulk FinFET are presented, through solving the Reaction-Diffusion equations multi-dimensionally considering geometry dependence of this framework of equations. The new models are compared to measurement data and gives excellent results. The results interpre...

مدولاتورهای فاز متعامد کاربرد فراوانی در سیستم های مخابراتی مدرن جهت پیاده سازی ساختار های فرستنده پیدا کرده اند. امروزه تقاضا برای مدولاتورهای فاز متعامد که ویژگی هایی چون نویزفاز پایین در خروجی، توان مصرفی پایین، دقت و سرعت بالا و قابلیت مجتمع سازی زیاد دارند، افزایش چشمگیری یافته است. در پاسخ به این تقاضا، روشهای متنوعی برای تولید سیگنال های متعامد ارائه شده است که در این پژوهش دو گونه از کا...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

ساختارهای جدید یک بعدی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیمی و نانولوله های کربنی بطور گسترده ای به عنوان جایگزینی برای ماسفت های مسطح مورد بررسی و کاوش قرار گرفته اند. در سیمهای کوانتومی شاهد قابلیت حرکت الکترون بیشتری نسبت به چاههای کوانتومی هستیم. زیرا پراکندگیهای الکترون – الکترون در نانوسیمها از اهمیت کمتری نسبت به چاههای کوانتومی برخوردارند. روش مونت کارلو از جمله روشهای نیمه کلاسیکی ح...