اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

در این پژوهش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه‌ی انتقال دهنده الکترون نظیر: SnO2 و ZnO. مورد شبیه سازی و مقایسه قرار گرفته است. بدین منظور از نرم افزار شبیه‌سازی AMPS-1D که دارای قابلیت تعیین مشخصه جریان-ولتاژ ، بازده کوانتمی و تعیین ضخامت لایه‌ها است استفاده شد. تاثیر ضخامت لایه‌ی جاذب پروسکایت، لایه های انتقال دهنده‌ی الکترون، غلظت ناخالصی لایه‌های انتقال دهنده‌ی الکترون و دما ...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

در این مقاله به بررسی شتابدهی طولی الکترون توسط پالس لیزر گاوسی در کانال پلاسمایی کم‌چگال و در حضور میدان مغناطیسی عرضی می‌پردازیم. پارامترهایی مانند دامنه وزاویه قطبش پالس لیزر، چگالی پلاسما و شدت میدان مغناطیسی تأثیر قابل توجهی بر دینامیک الکترونها دارند. نشان داده شده که حضور میدان مغناطیسی در کانال سبب افزایش آستانه‌ی چگالی لازم برای شروع شتابدهی الکترون می‌شود. با بررسی وابستگی شتاب الکترو...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

این پایان نامه شامل 7 فصل می باشد. فصل اول در مورد نانولوله های کربنی است که درباره تاریخچه و خصوصیاتشان بحث شده است. در فصل دوم موجبرهای مستطیلی و موجبرهای دایره ای مورد بحث و بررسی قرارگرفته اند. در فصل سوم به بررسی"خواص جذب میکروموج پلاسمای هیدروژن در نانولوله های کربنی تک دیواره" پرداخته ایم. اطلاعات آزمایشگاهی نشان می دهد که نانولوله های کربنی تک دیواره که از طریق فرآیند hipco تولید می ش...

با گسترش تکنولوژی الکترونیک، ادوات الکترونیکی ارزان قیمت و پرتابل عرضه شده اند. یک رگولاتور ولتاژ طوری طراحی می شود که علی رغم تغییرات ولتاژ ورودی و تغییرات در جریان بار همواره ولتاژ خروجی ثابتی ایجاد کند. رگولاتور ldo یک رگولاتور ولتاژ خطی است که افت ولتاژ کمی ایجاد می کند. این نوع رگولاتور ها مشخصاتی نظیر نویز کم و ساختار مداری ساده دارند که آن ها را برای استفاده در ادوات پرتابل مناسب می سازن...

مطالعات تئوری شامل انرژی برهم کنش بین قطعه های r-xh و y-r?، پروتونه شدن عناصر گروه پانزده(y)، انرژی پایداری، انرژی احیا و آنالیزهای nbo وaim بر روی ترکیبات r-xh=y-r? (x=c, si, ge; y=n, p, as; r, r?=ph, me) به روش های تئوری m06 و b3lyp با استفاده از مجموعه پایه های 6-311++g** و def2-tzvpp صورت گرفت. برای این منظور، صورت بندی ها و ایزومرهای مختلف کلیه ترکیبات بررسی شده و مطالعات تئوری بر روی پای...