جاذب‌های صوتی درکاربری‌های مختلف مانند مکان‌هایی که نیاز به کنترل نوفه[i] دارند و یا احتیاج به مشخصه‌های آکوستیکی مطلوب دارند، مورد نیازند. جاذب‌های صوتی سنتی در محدوده فرکانسی پایین ناکارآمد بوده و بهره‌وری بالایی ندارند و برای دریافت میزان جذب بالا در محدوده فرکانس پایین لازم است ضخامت بالایی از این مواد را مورد استفاده قرار داد که با توجه به محدودیت‌های موجود در ساخت و کمبود فضا عملاً استفاده...

بررسی عبور تک موج از روی موانع مغروق و مطالعه ی الگوی جریان تشکیل شده در اطراف این موانع، به دلیل تأثیر مستقیم بر شکل موج و میزان تغییرات ایجادشده در انرژی آن اهمیت بسیار زیادی دارد که نمونه ای از کاربرد آن را می توان در طراحی موج شکن های ساحلی و دستگاه های جاذب انرژی مشاهده کرد. در این پژوهش به بررسی جریان ایجادشده در اطراف یک صفحه ی نازک مغروق در آب در اثر عبور یک تک موج از روی آن پرداخته شده...

سنتز مزو حفره‌های سیلیکایی از سال 1992 تا به حال زمینه پژوهشی و کاربردی بسیار وسیعی را ایجاد کرده است. در مقایسه با سایر مزوحفره‌های سیلیکایی SBA-15 دارای دیواره‌های ضخیم‌تری بوده و حجم حفره و مساحت سطح بیشتری دارند. سطح مزوحفره‌های سیلیکایی را می‌توان با گروه‌های آلی برای دست‌یابی به هدف‌های خاص بهینه کرد. کاربرد اصلی مزوحفره‌ها فرایندهای جذبی برای تصفیه پساب‌های موجود در محیط زیست است. حذف رن...

به فرآیندی که یک جریان رسوبی در زیر یک جریان شفاف حرکت می کند و رسوبات را به سمت دریاچه و اقیانوس ها منتقل می کند جریان غلیظ می گویند. پدیده جریان غلیظ بدلیل تغییرات چگالی بین دو سیال بوجود می آید و از فاکتورهای مهم در زمینه انتقال رسوب در مخازن سدها می باشد. آگاهی از سرعت پیشانی این جریان ها یکی از پارامترهایی است که در مخازن سدها دارای اهمیت بسیار است. انتقال رسوبات توسط جریان غلیظ به کنار بد...

سنتز مزو حفره های سیلیکایی از سال 1992 تا به حال زمینه پژوهشی و کاربردی بسیار وسیعی را ایجاد کرده است. در مقایسه با سایر مزوحفره های سیلیکایی sba-15 دارای دیواره های ضخیم تری بوده و حجم حفره و مساحت سطح بیشتری دارند. سطح مزوحفره های سیلیکایی را می توان با گروه های آلی برای دست یابی به هدف های خاص بهینه کرد. کاربرد اصلی مزوحفره ها فرایندهای جذبی برای تصفیه پساب های موجود در محیط زیست است. حذف رن...

در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...