در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

در فصل اول مختصری از ضرورت و اهمیت مطالعه سلولهای خورشیدی و اساس کار سلولها و انواع مختلف سلولها نوشته شده است . در فصل دوم ویژگیهای کلی نیمه رسانا، ذاتی یا غیرذاتی بودن نیمه رسانا، گاف نواری سیلیسیوم و تغییرات آن با دما، ساختار بلوری و نوارهای انرژی سیلیسیوم، آلایش ساختار بلوری و ناخالصی ها، ترابر حاملها و معادلات حاکم بر جریان ناشی از حاملهای باری مورد مطالعه قرار گرفته است . در فصل سوم، اندر...

در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

نقاط کوانتومی دسته ای از نانو ذرات می باشند. و ساختارهایی هستند که در سه بعد محدود هستند،که این محدود شدن کلید تنظیم انتقالات نوری در نانو ساختارها است .یعنی در نقاط کوانتومی امکان تغییر اندازه گاف انرژی وجود دارد. اهمیت نیم رسانا بودن نقاط کوانتومی دراین است که رسانایی الکتریکی این مواد را می توان با محرک های خارجی مانند میدان الکتریکی یا تابش نور تغییر داد. از نقاط کوانتومی می توان به ساخت دی...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در این تحقیق از میان فروسیال‏های فرو یا فری‏مغناطیس بر پایه‏ی آب، روغن یا مایع-فلز، در مرحله‏ی اول به سنتز فروسیال قطبی بر پایه‏ی آب حاوی نانوذرات مگنتیت؛ تحت اکسیژن هوا، به روش هم‏رسوبی پرداخته شد؛ و نتایج زیر به دست آمد: • نتیجه‏ی سنتز یک فروسیال دوفازی حاوی نانوذرات مگنتیت و مگمایت بود که مگمایت در نتیجه‏ی اکسایش تدریجی یون fe+2 به یون fe+3 به وجود آمده است. در مرحله‏ی دوم، با مشخصه‏یابی...

در این تحقیق نانو بلور های NiWO4 در محیط پلیمری و در دمای پایین برای اولین بار سنتز شدند. واکنش تشکیل بین نیکل کلرید و تنگستات سدیم در دمای 180 درجه سانتیگراد و به مدت 10 ساعت در اتیلن گلیکول انجام شد. ذرات بلورینه شده تنگستات نیکل پس از عملیات حرارتی در 500 درجه سانتیگراد به مدت 5 ساعت حاصل گردیدند. آنالیز حرارتی (TG/DTA) برای بررسی رفتار این ماده تحت حرارت انجام شد. نتایج آنالیز پراش اشعه ایک...