نتایج جستجو برای: finfet تمام گیت دو فلزی
تعداد نتایج: 306128 فیلتر نتایج به سال:
FinFETs are widely used as efficient alternatives to the single gate general transistor in technology scaling because of their narrow channel characteristic. The width quantization FinFET devices helps reduce design flexibility Static Random Access Memory (SRAM) and tackles divergence between stable, write read operations. SRAM is many medical applications due its low power consumption but trad...
در این مقاله ساختاری نوین برای طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...
در دو دهه اخیر توجه شایانی به ساختارهای متناوب (کریستالهای فتونی) مخصوصا از جنس عایقی شده است. کریستالهای فتونی در بازه خاصی از فرکانس از انتشار امواج الکترومغناطیسی جلوگیری می کنند. این بازه فرکانسی که باند توقف فتونی نامیده می شود همانند باند توقف نمی توانند در داخل کریستال فتونی وجود داشته باشند و انتشار یابند مگر اینکه ناهمگونیی در ساختار ایجاد شود.
در این پروژه لیگند دو حفره ای غیر حلقوی بر پایه فنل -l1]2] با بازوهای جدید متیل پروپیونات و کمپلکس های تک هسته ای از نوع[ml1] که m یون های فلزی (cu(ii و یا(zn(iiهستند، تهیه گردید. این لیگند غیر حلقوی بالقوه دارای یک مکان چهار دندانه با اتم های دهنده o4 متشکل از دو اتم اکسیژن جزء فنولات و دو اتم اکسیژن فرمیل و یک مکان شش دندانه با اتم های دهنده n2o4 متشکل از اتم های اکسیژن جزء فنولات، گروه های ک...
هدف: هدف از این مطالعه ارزیابی شاخص‌های آلتمتریک دانشگاه‌های علوم پزشکی ایران در دو شبکه اجتماعی ریسرچ‌گیت و آکادمیا و بررسی رابطة آنها با شاخص‌های علم‌سنجی پایگاه اسکوپوس از قبیل میزان استناد، اچ ایندکس و تعداد انتشارات است. روش‌شناسی: پژوهش حاضر از نوع کاربردی و با روش علم‌سنجی انجام شده است، داده‌های پژوهش به کمک نرم‌افزار اکسل 2013 گردآوری و با نرم‌افزار SPSS ویرایش23 آزمون‌های آماری اسپیر...
مقدمه: تأثیر گیت به عقب بر متغیرهای بیومکانیکی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت زانو ناشناخته‌اند. هدف این مطالعه تعیین تأثیر پروتکل تمرینی گیت به عقب بر پارامترهای فضایی- زمانی- مکانی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت داخلی زانو است. مواد و روش‌ها: این تحقیق نیمه تجربی با طرح پیشآزمون-پس آزمون در دو گروه کنترل (سالم مرجع و بیمار شاهد) و یک گروه تجربی انجام ...
The sizes of commercial transistors are nanometer order, and there have already been many proposals spin qubits using conventional complementary metal–oxide–semiconductor transistors. However, most the previously proposed require wires to control a small number qubits. This causes significant “jungle wires” problem when integrated into chip. Herein, reduce complicated wiring, we theoretically c...
پردازش نوری با توجه به مزایای بسیار نسبت به مدارات الکترونیکی مورد توجه است.کریستال های فوتونی ابزاری چند منظوره جهت ساخت دستگاه هایی با ابعادی در حد چند طول موج نور در اختیار ما قرار می دهد و به عنوان یکی از مهم ترین موضوعات مورد مطالعه در زمینه مخابرات نوری به شمار می رود. آنها خصوصیات منحصر به فردی مانند سرعت بالا، امکان فشرده سازی ، مصرف توان پایین و محبوس کردن توان را دارند. از این رو اخیر...
Double Gate FinFET devices are suitable for nano electronic circuits due to better scalability, higher on-current (Ion), improved Sub-threshold Slope (SS) and undoped body (no random dopant fluctuation). Body thickness (TSi) increases the gate control over the channel resulting in reduced short channel effects (SCEs). Thin Tsi increases the quantum confinement of charge, resulting increased thr...
A compact set of equations based on the multiple subbands quasi-ballistic transport theory is developed, and is used to investigate the channel electron effective mobility in recently reported In0 .53Ga0 .47As/Al2O3 tri-gate n-FinFET. The extracted electron effective mobility μn is around 370 cm2 /V·s at low Vg−Vth bias at room temperature and decreases with increasing Vg , and increases with i...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید