امروزه در اغلب سیستم های مخابرات نوری از لیزرهای نیمههادی به عنوان منبع نور استفاده می شود که در انواع فضای آزاد آن، به علت بالا بودن تلفات کانال انتقال، استفاده بهینه از این نوع لیزرهای با توان بالا، امری اجتناب ناپذیر می باشد. افزایش نرخ خطا تنها مربوط به تلفات کانال انتقال نبوده و تنزل مشخصات عملکردی منبع نوری در گذشت زمان و در شرائط محیطی مختلف، عامل مهم دیگر افزایش خطا در این گونه ارتباطات...

با توجه به کاربرد وسیع نیمه هادی ها در صنعت و تکنولوژی، از جمله ساخت قطعات الکترونیکی (دایود، ترانزیستور، لیزر و .... )، و اهمیت کوچک سازی این قطعات، بررسی پلاسمای کوانتومی الکترون – حفره در آنها امری ضروری است. در اینگونه سیستم ها، از آنجایی که طول موج دوبروی حاملهای بار قابل مقایسه با فواصل بین ذره ای است، توابع موج ذرات با یکدیگر همپوشانی کرده و اثرات مکانیک کوانتومی پدید می آیند. در میکروال...

در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است.  نخست، با استفاده از معادله پواسون یک‌بعدی کانال بلند در جهت عمود بر کانال در حضور حامل‌های متحرک بار، معادله دیفرانسیلی برای بار کانال به‌دست می‌آید که پاسخ آن تغییرات مؤلفه غلظت بار کانال بلند را در امتداد عمود بر کانال نشان می‌...

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

جفت شدگی اسپین-مدار به علت استفاده های گوناگون در پدیده های نوین فیزیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مهم ترین این پدیده ها اسپینترونیک است، که شامل مطالعه کنترل فعال و دستکاری درجه آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. به عبارت دیگر، اسپینترونیک اشاره به الکترونیک اسپینی، پدیده ی ترابرد اسپین های قطبیده در فلزات و نیمه هادی ها دارد. جفت شدگی اسپین-مدار برای تولید جریان اسپین قطبیده ...

موضوعی که در دنیای امروز از اهمیت زیادی برخوردار است، استفاده و بهره برداری از مواد به ظاهر کم اهمیت و تبدیل آنها به تجهیزات و موادی است که برای بشر و علم بسار سودمند باشد. در علوم امروز، علم نانو و شاخه های مرتبط با آن از اهمیت ویژه ای برخوردار می باشند چرا که بسیاری از کارهایی که تا به حال انجام آن برای بشر سخت و یا غیر ممکن بود به وسیله این مواد آسان و قابل دسترس شده است. نانولوله های کربنی ...

استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...

در این تحقیق یک آشکار ساز نیمه هادی با استفاده از یک فتودیود و یک ترانزیستور برای پایش و در آشکارسازی رادون و محصولات تجزیه آن در مکان های مختلف و حتی دور از دسترس ساخته شده است، که اطلاعات میزان سطح رادون در بازه زمانی حقیقی توسط یک سیستم gsm به یک فرستنده اطلاعات، انتقال داده می شود. برای ارزیابی آشکارساز خاک حاوی اورانیوم طبیعی در یک محفظه بسته قرار می گیرد تا به یک تعادل پایدار برسد. سطح ...