نتایج جستجو برای: ترانزیستور سوی

تعداد نتایج: 34729  

ژورنال: مطالعات راهبردی 2005
محمدعلی قاسمی کوین کلمنتس

امنیت‌ واقعی‌ چیست‌ و چگونه‌ امکان‌ دستیابی‌ به‌ آن‌ وجود دارد؟پرداختن‌ به‌ این‌ سؤال‌ نیازمند بازبینی‌ در نظرات متفکران قبلی به‌ خصوص‌ نظرات‌ متفکران‌ مکتب رئالیسم است‌ که‌ امنیت‌ را در سایه‌ حضور دولتی‌ قوی‌ با سازوبرگ‌ نظامی‌ فراوان‌ و در چارچوبهای متکی بر جبر و خشونت‌ جستجو می‌کنند. نویسنده‌ اعتقاد دارد که‌ این‌ تعریف‌، بیشتر ناامنی‌ را در پی‌ خواهد داشت‌. بنابراین برای‌ دستیابی‌ به‌ امنیت‌...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی 1392

با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان ماده کانال مطرح است نانولوله کربنی است. نانولوله کربنی با توجه خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، انتقال بالیستی...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایان نامه ابتدا به مطالعه و بررسی نقاط کوانتومی در ساختارهای ناهمگون algaas/gaas می پردازیم . سپس با اعمال پتانسیل خارجی ، تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه کرده و با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان الکترونی در چاه پتانسیل را مشخص کرد . جریان را می توان با استفاده از حل خود سازگار معادله شرودینگر و پواسون جهت به دست آوردن تحرک الکترونی ، تراز فرمی چا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

مبدل های ماتریسی، آرایه ای از سوئیچ های نیمه هادی کنترل شده است که هر فاز ورودی را به هر فاز دلخواه از خروجی متصل می کند. این مبدل ها به دلیل مزایای فراوان، در سال های اخیر مورد توجه ویژه قرار گرفتند و به عنوان جایگزین مناسبی برای مبدل های غیر مستقیم ac-ac معرفی شده اند. . از جمله این مزایا می توان به عدم نیاز به عناصر حجیم راکتیو و در نتیجه طول عمر بیشتر، ساختار فشرده تر و توانایی عملکرد در دم...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
علی بهاری امیر حیاتی

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

Journal: : 2023

هدف: از چالش­های عمده بشریت افزایش افسردگی و اختلال عملکرد جنسی ناشی داروهای ضدافسردگی است. با توجه به نقش سلول­های سرتولی در اسپرماتوژنز، پژوهش حاضر، اثر داروی دولوکستین را بر زنده­مانی، آپوپتوزیس بیان ژن­های Bax و­ (Connexin 43) Cx43 بررسی کرده مواد روش‌‌ها: TM4 محیط DMEM/F12 حاوی %5/2 FBS، 5% سرم اسب %1 پنی سیلین-استرپتومایسین کشت شدند. دوزهای 30،60، 15، 5/7، 75/3 میکرو­گرم/ میلی­لیتر زمان­ه...

Journal: : 2022

هدف: هدف از پژوهش حاضر بررسی تأثیر تاب‌آوری فردی و رهبری تحول‌آفرین بر رفتار تیمی نوآورانه با توجه به نقش میانجی تعدیل‌گر جو یادگیری می‌باشد. طراحی/ روش‌شناسی/ رویکرد: این هدف، کاربردی نظر گردآوری داده‌ها جزء پژوهش‌های توصیفی _ همبستگی جامعه آماری شامل 760 نفر کارکنان شرکت کارگزاری مفید بوده حجم نمونه 261 روش نمونه‌گیری تصادفی ساده انتخاب شده است. تجزیه تحلیل استفاده رویکرد مدلسازی معادلات ساخت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

مراجع ولتاژ و جریان یکی از اصلی ترین بلوک ها در مدارهای دیجیتال و آنالوگ هستند. عملکرد یک مرجع به وسیله حداکثر تغییرات در شرایط عملیاتی مجاز خود سنجیده می شود. یکی از مهم¬ترین مشخصه های یک مرجع تغییرات دمایی آن است. بنابراین، باید با توجه ویژه¬ای به رفتار حرارتی مرجع ولتاژ و مرجع جریان پرداخته می شود. دیگر مشخصه ایی که کارایی یک مرجع را مشخص می¬کند تغییرات خروجی نسبت به تغییرات ولتاژ تغدیه است....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان 1390

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده مهندسی 1391

دراین رساله مختصری در رابطه با فناوری نانو و کاربردهای آن پرداخته شده است. سپس ساختار اتم کربن و پیوندهای بین اتمهای آن و بویژه گرافیت، گرافن و نانولوله کربنی اعم از رسانا و نیمه رسانا که با تغییر کایرالیته بوجود می آیند و ترازهای انرژی، چگالی حالت و چگونگی ساخت نیمه هادی نوع n و p با نانولوله کربن پرداخته شده است. در ادامه ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولوله کربن از دو نوع سد شاتکی و شبه mo...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید