نتایج جستجو برای: finfet تمام گیت دو فلزی
تعداد نتایج: 306128 فیلتر نتایج به سال:
This paper provides the estimation of power dissipation of CMOS and finFET based 6T SRAM Memory. CMOS expertise feature size and threshold voltage have been scaling down for decades for achieving high density and high performance. The continuing reduce in the feature size and the corresponding increases in chip density and operating frequency have made power consumption a major concern in VLSI ...
هدف: هدف از این مطالعه ارزیابی شاخص‌های آلتمتریک دانشگاه‌های علوم پزشکی ایران در دو شبکه اجتماعی ریسرچ‌گیت و آکادمیا و بررسی رابطة آنها با شاخص‌های علم‌سنجی پایگاه اسکوپوس از قبیل میزان استناد، اچ ایندکس و تعداد انتشارات است. روش‌شناسی: پژوهش حاضر از نوع کاربردی و با روش علم‌سنجی انجام شده است، داده‌های پژوهش به کمک نرم‌افزار اکسل 2013 گردآوری و با نرم‌افزار SPSS ویرایش23 آزمون‌های آماری اسپیرم...
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانونوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...
برنامه‌ریزی گیت یکی از فعالیت‌های کلیدی در فرودگاه‌هاست که به عنوان یک مسأله بهینه‌سازی تعریف می‌شود. هدف اصلی این پژوهش پیدا کردن یک تخصیص مناسب برای پروازهای ورودی و خروجی با درنظر گرفتن مجموعه‌ایی از محدودیت‌های کاربردی است. یکی از اهدافی که کمتر مورد توجه قرار گرفته است، بالانس نمودن بار کاری گیت‌ها با استفاده از تعداد مسافران می‌باشد. در این مقاله، این هدف به همراه دو هدف کمینه‌کردن تأخیره...
This work investigates the S-curve engineering by exploiting anti-ferroelectric (AFE)/ferroelectric (FE) stack negative-capacitance FinFET (NC-FinFET) to improve both subthreshold swing and ON-state current ( I ON ). The capacitance matching performance are evaluated using a short-channel AFE/FE...
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانونوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...
در این مقاله، فرآیند اکستروژن مستقیم ورق های دو فلزی با قالب گوه ای شکل، به روش کرانه بالایی تحلیل و به روش اجزا محدود شبیه سازی شده است. منطقه تغییر شکل به دو ناحیه تغییر شکل تک فلزی و و ناحیه دو فلزی تقسیم شده و بر اساس میدان سرعت داده شده برای هر ناحیه، توان های داخلی، برشی و اصطکاکی کل محاسبه شده اند. با مساوی قرار دادن توان خارجی با توان کل، نیروی اکستروژن لازم به دست آمده است. نتایج روش ت...
برگشت فنری یک پدیده اجتناب ناپذیر در شکل دهی ورقهای فلزی است، که در ضمن باربرداری و در نتیجه ی رها شدن تنش های الاستیک محبوس شده در قطعه حاصل شده و منجر به تغییر در ابعاد قطعه نهایی می گردد. بنابراین، پیش بینی میزان برگشت فنری ورقهای فلزی بعد از فرآیند شکل دهی جهت کنترل ابعادی مسئله مهمی است. هدف این مقاله بررسی اثر ضخامت اولیه بر برگشت فنری ورقهای فلزی با دو انحنای اصلی است. حالت بررسی شده با ...
To extend the use of CMOS technology beyond 14 nm node technology, new device materials are required that can enhance the performance of MOSFETs. The use of high-k materials in double gate (DG) MOSFET can triumph over the problem of power dissipation and leakage current. In this paper, we investigated various high-k dielectrics as the gate oxides in a 12 nm SOI FinFET and the performance potent...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید