اختلالات روانی به دلیل فقدان نقایص جسمی به سختی تشخیص داده می­شوند. این مشکل وقتی تشدید می­شود که دو اختلال دارای نشانه­ها و علایم بسیار شبیه به هم باشند. هدف از مطالعه­ی حاضر، مقایسه­ی شیوه­ی خاطره­نگاری بیماران مبتلا به اختلالات اسکیزوفرنی، اسکیزوافکتیو و دوقطبی می­باشد. روش­کار: این پژوهش، پس­رویدادی از نوع مورد-شاهدی بود که با روش خاطره­نگاری بر روی 60 بیمار مبتلا به اختلالات اسکیزوفرنی، اس...

مقدمه: هدف پژوهش حاضر مقایسه‌ کارکردهای اجرایی، هوش هیجانی و تنظیم هیجان در بیماران مبتلا به اختلال اسکیزوفرنی، دوقطبی و افراد بهنجار بود. مواد و روش ها: این پژوهش علی- مقایسه ای است. جامعه آماری شامل کلیه افراد مبتلا به اختلال‌های اسکیزوفرنی و دوقطبی شهر هشتگرد بود. حجم نمونه در هر یک از زیرگروه ها 50 نفر در نظر گرفته شده است که به شیوه در دسترس انتخاب شدند. برای جمع‌آوری داده‌ها از پرسشنامه ...

در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (i-v) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (ms) au/n-gan (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (mos) در ساختار au/sio2/n-gaas، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی ب...

رابطه ی بین اختلال شخصیت مرزی و اختلالات طیف دوقطبی، به ویژه دوقطبی از مباحثی است که در سال­های اخیر مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف پژوهش حاضر، درک بهتر از شرایط روان­پویایی و ساختار شخصیت و مقایسه ی مولفه­های سازمان شخصیت مرزی در  افراد مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و اختلال دوقطبی نوع دو بود. بدین منظور، طی یک پژوهش مقایسه ای، 20 بیمار مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و 19 بیمار مبتلا ...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

هدف: اختلال دوقطبی 1 یک اختلال روانی شایع با عوامل پیچیدۀ ایجاد کننده است. محور ژنتیک در بررسی این اختلال دارای اهمیت روزافزون است. ژن دیسبیندین که در موقعیت 6p22.3 واقع شده از عوامل مؤثر در اسکیزوفرنیا در نظر گرفته می شود و همچنین برخی پلی مورفیسم ها یا هاپلوتیپ های آن داری ارتباط با برخی اختلالات سایکوتیک از جمله اختلال دوقطبی است. بررسی مورد- شاهدی ژنوتیپ بیماران ایرانی از نظر ژنوتیپ‏ها و ها...

در دو دهه ی اخیر تحقیق در مورد عملکرد اسکوئید های dc دمای بالا بسیار پر رونق بوده است. این قطعات حساس ترین حس گرهای شار مغناطیسی تاکنون بوده اند که دارای نوفه ی ذاتی پایینی هم می باشند و در نتیجه کاربردهای مهمی را به خود اختصاص داده اند. بسیاری از اسکوئیدهای دمای بالا روی زیر لایه های دارای ضریب دی الکتریک بزرگ مانند استرونتیوم تیتانات (sto) و به شکل واشری دارای شیار نسبتاً بزرگ ساخته می شوند در...

صفحات دوقطبی یکی از مهمترین بخش‌های پیل‌سوختی هستند که هزینه تولید زیادی را بهمراه دارند. در این پژوهش، شکل‏پذیری صفحات دوقطبی فلزی با سطح فعال 100 سانتیمتر مربع از جنس فولاد زنگ نزن L316 با فرآیند شکل‌دهی استمپینگ مورد بررسی قرار گرفته است. فرآیند شکل‌دهی استمپینگ نسبت به روش‌های دیگر شکل‌دهی دارای مزایایی همچون سادگی فرآیند، سرعت تولید بالاتر و هزینه تولید پایین‌تر می‌باشد. مساله مهمی که در ص...

مقدمه: پژوهش حاضر با هدف بررسی اثر درمانی تحریک مکرر مغناطیسی فرا جمجمه‌ای (rTMS) مغز از روی جمجمه بر حافظه کاری افراد مبتلا به اختلال دوقطبی انجام گرفته است. روش: بدین منظور در این طرح پژوهشی 30 نفر از مبتلایان به اختلال دوقطبی با روش نمونه­گیری هدفمند از مراجعه­کنندگان به یکی از کلینیک‌های شهر تهران انتخاب شدند. همه آزمودنی­ها قبل و بعد از مداخله درمانی با آزمون حافظه کاری N-back و پرسشنامه ا...

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...