در این مقاله ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی(Na2S سدیم سولفید) در فازساختاری اورتورومبیک موردبررسی قرارگرفته است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل و با استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام‌شده‌اند. نتایج ساختار نواری نشان می‌دهد که سدیم‌سولفید در فاز ساختاری اورتورومبیک دارای یک گاف نواری مستقیم درنقطۀ Γ به‌اندازۀ 2/405 الکترون‌ولت می‌باشد، که بیشترین...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

در سال 1994 میلادی، می نو و همکارانش ابررسانایی را در کشف کردند. اولین ابررسانای لایه ای پروسکایت دو بعدی بدون مس است که با وجود دمای گذار بسیار پایین هم ساختار با ابررساناهای دمای گذار بالاست. نتایج آزمایش های مختلف نشان دادند که یک ابررسانا با حالت اسپینی سه گانه است که جفت های کوپر در حالت های اسپینی موازی هستند. بنابراین یک ابررسانای نامتعارف با حالت اسپینی سه گانه و احتمالاً موج-p است. لذا ...

در این رساله، به بررسی رابطه بازتاب در بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی می پردازیم. بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی با ساختار چهار لایه (پلاسما1)- (mgf2) –(پلاسما2)-( شیشه) در یک سلول واحد در نظر گرفته شده است. رابطه بازتاب را با استفاده از روش ماتریس انتقال به دست آورده و اثرات پارامترهای مختلف مانند: تعداد سلول های واحد، دو فرکانس نرمالیزه پلاسما، زاویه فرودی، میدان مغناطیسی خارجی بررسی می کنیم....

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...

در این پایان نامه، خواص الکترونی و ساختاری باندل نانولوله های نیترید بور با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی در چارچوب نظریه تابع چگالی، با استفاده از کد محاسباتی wien2k بررسی گردیده است. برای ترم تبادلی- همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است. نخست، خواص الکترونی نانولوله ایزوله نیترید بور و باندل آن در شبکه هگزاگونال بررسی گردیده است. هر دو آنها نیمه رساناهایی با گاف بزرگ و غیر...

چکیده گرافن، یک لایه از گرافیت به ضخامت یک اتم است که اتم های کربن آن یک شبکه ی دو بعدی لانه زنبوری تشکیل داده اند. در این پژوهش، گروه های مختلف گرافن با تعداد اتم های کربن و هیدروژن متفاوت، به صورت-های ساده، لبه هیدروژنه و تمام هیدروژنه با لبه های زیگزاگ در دو چیدمان دایروی و راست گوشه، با نرم افزار محاسباتی گوسین، به روش نظریه تابعی چگالی، با پایه های b3lyp/3-21g، b3lyp/6-31g و b3lyp/6-311...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...

در این مقاله، گزارش ساخت و مشخصه‌یابی دیودهای نورگسیل پلیمری (PLED) دو‌لایه با ساختار ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al، با هدف کاهش ولتاژ روشن شدن، ارائه می‌شود. در این کار، لایۀ PEDOT:PSS به-عنوان لایۀ تزریق‌کنندۀ حفره با سرعت rpm 2000 و لایۀ MEH-PPV به‌عنوان مادۀ فعال با چهار سرعت لایه‌نشانی متفاوت و به‌روش لایه‌نشانی چرخشی، لایه‌نشانی شد. اثر تغییر ضخامت لایۀ MEH-PPV بر روی خواص سطحی لایه‌ها، خواص ج...