نتایج جستجو برای: لایه نیمرسانای نانومتخلخل

تعداد نتایج: 21817  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1393

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی 1392

با توجه به اهمیت بسیار زیاد حذف فلزات سنگین از پساب ها، تعیین جاذبی مناسب برای این منظور یکی از مهمترین موضوعات تحقیقاتی در سال های اخیر می باشد. با توجه به اهمیت جاذب های نانوساختار نانو حفره ای و ظرفیت بالای جذب فلزات آنها بدلیل خصوصیات منحصر به فرد این جاذب ها، در این تحقیق به ساخت و بررسی نانوساختارهای بنتونیت و بنتونیت فعال به عنوان یکی از جاذب های ارزان قیمت و با فراوانی بالا جهت جداسازی ...

حمید فتاحی جویباری محمد کریمی,

الکتروریسی به‌عنوان فنی ساده و ارزان، برای تولید نانوالیاف متخلخل سلولوز استات به‌کار گرفته شد. تولید الیاف ظریف در مقیاس زیرمیکرون و نانومتر به دلیل افزایش سطح ویژه ماده کاربرد گسترده‌ای یافته است و با ایجاد تخلخل در الیاف، سطح ویژه آن افزایش شایان توجهی می‏‌یابد. در این پژوهش، الیاف متخلخل سلولوز استات از الکتروریسی محلول پلیمر در مخلوط استون-آب تولید شد. مقدار تخلخل در الیاف الکتروریسی‏ شده ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی موادو متالورژی 1393

در این پژوهش فوتوآند سلول خورشیدی حساس شده با رنگینه با هدف بهینه سازی آن ساخته شد. ساخت لایه نانو متخلخل tio2 با استفاده از خمیر حاوی نانوذرات tio2 و بر پایه روش سل-ژل پچینی و با استفاده از مواد اولیه اتیلن گلیکول، ایزوپروپکسید تیتانیم و اسید سیتریک صورت گرفت. به دلیل اهمیت پارامترهای مختلف در ساخت خمیر بر کیفیت فیلم tio2 و عملکرد سلول خورشیدی متناظر، در این پژوهش بر بررسی دوپارامتر تمرکز و عم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه فویل اکسید آلومینیم نانومتخلخل ساخته شده و تأثیر پارامترهای آزمایشگاهی غلظت الکترولیت، ولتاژ آندیزاسیون، زمان آندیزاسیون و زمان پهنش حفره ای بر مشخصه های ساختاری تخلخل ها از قبیل اندازه حفره ها، ضخامت دیواره ای، فاصله بین حفره ای و چگالی حفره ای مورد بررسی قرار گرفت. خلوص آلومینیم 27/94 درصد بوده که خلوص خیلی پایینی محسوب می شود. مشخصه یابی ساختار تخلخلی ایجاد شده توسط میکروسک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1385

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1391

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسیدروی آلاییده با قلع (zno:sn) و سولفیدروی (zns) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. در بخش اول تاثیر درصد ناخالصی قلع(sn) بر روی خواص ساختاری، اپتیکی، الکتریکی، ترموالکتریکی و فوتورسانشی لایه های نازک zno بررسی شد. برای ناخالص سازی از کلرید قلع (sncl2) با نسبت های مولی مختلف در محلول اولیه استفاده شد. در تهیه محلول ناخالصی، ...

در این پژوهش با استفاده از یک مدل دو-مقیاسی، فرآیند پخش الکترون توأم با بدام افتادن در یک لایة نیم‌رسانای نانومتخلخل و با در نظرگرفتن مراکز بازترکیب شبیه‌سازی می‌شود. در مقیاس اول نقش توزیع حالت‌های جای‌گزیده از طریق تخمین زمان ماندگاری الکترون در هر نانوذره، با توجه به تعداد و آرایش همسایه‌های اول آن، محاسبه شده و در مقیاس دوم الکترون روی یک خوشة تراوش کننده بی‌نظم از نانوذرات پخش می‌شود. زمان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترون درون یک دیود تونل زنی تشدیدی متشکل از چاه کوانتومی از جنس gaas و سدهایی از جنس algaas را مطالعه می کنیم. در قطعات نیمرسانای در مقیاس نانو، اثرات کوانتومی در پدیده های ترابرداهمیت بسیار زیادی پیدا می کنند. صرفنظر از سیستم تحت بررسی، معادله بولتزمان نیمه کلاسیک تقریب مناسبی نمی باشد و یک رهیافت کوانتومی مورد نیاز است. در بین فرمول بندی های کوانتومی توسعه یافته...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1390

اکسید روی (zno) با ترکیب عناصر گروه ii-vi در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (ev37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید