نتایج جستجو برای: لایه نقص مغناطیسی
تعداد نتایج: 33170 فیلتر نتایج به سال:
تشکیل رسوبات لسی، یکی از مهمترین پیامدهای تغییرات اقلیمی است. توالی رسوبات لس/خاک دیرین یکی از بهترین آرشیوهای طبیعی یرای ثبت تغییرات اقلیم می باشد. از این قابلیت رسوبات لسی، برای بازسازی تغییرات اقلیمی کواترنر و تغییر و تحول ژئومورفولوژیکی می توان استفاده کرد. در این تحقیق برای بازسازی آب و هوای کواترنر پسین منطقه آزادشهر برش لسی نوده انتخاب شد. این برش دارای 7/23 متر ستبرا می باشد. در مجموع ت...
در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...
در این پایان نامه به معرفی شکل دهنده های باریکه با استفاده از نانوساختارهای بلور فوتونی یک بعدی و مواد با ضریب شکست متغیر پرداخته شده است. با افزودن یک لایه ی نقص با توزیع ضریب شکست غیر یکنواخت به ساختار بلور فوتونی امکان کنترل و مهندسی توزیع شدت باریکه در صفحه ی خروجی ایجاد می شود. در نتیجه متناسب با تابع توزیع ضریب شکست لایه ی نقص باریکه ی خروجی شکل های متفاوتی به خود می گیرد. شکل دهی باریکه ...
مدلسازی مستقیم الکترومغناطیس (em) با استفاده از چشمههای اولیه متفاوت یکی از راههای درک پیچیدگی توزیع امواج em در زمین و نیز صحتسنجی تفسیرهای زمینشناسی مرتبط با مدلهای به دست آمده از معکوسسازی دادههای صحرایی em است. در این مقاله، از یک برنامه کامپیوتری از پیش نوشته شده در محیط برنامهنویسی فرترن 77 بهمنظور مدلسازی مستقیم پاسخ فرکانسی میدان em حاصل از چشمه دوقطبی مغناطیسی افقی استفاده ش...
نانوسیمها ساختاری یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان، نانوسیم های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظههای مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژهای برخوردار هستند. بر این اساس در این پروژه نانوسیمهای مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده اند...
در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ض...
به منظور مطالعه آستانه تخریب لیزری، لایه های نازک tio2وzro2 به روش تبخیر بیم الکترونی روی زیرلایه bk7 لایه نشانی شدند سپس به مدت 3 ساعت با گرادیانهای مختلف دمایی تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند؛ با استفاده از پراش پرتوی ایکس(xrd)، میکروسکوپ نیروی اتمی(afm)، طیف سنجuv-vis و طیف سنجی فوتوالکترون با پرتوی ایکس(xps)، مشخصات اپتیکی، ساختاری، ریخت شناسی و ترکیب شیمایی بدست آمد. آستانه تخریب لیزری با اس...
در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی انبوهه uas و سپس خواص الکترونی و مغناطیسی نانولایه های uas/ge با یک و دو ضخامت uas مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتال های موضعی(apw+lo) با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام شده است. برای تخمین پتانسیل تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته gga و (gga+u) ا...
در این پایان نامه انتشار پالس نوری ضعیف کاوشگر در محیط بلور فوتونی یک بعدی مورد بحث قرار گرفته است و تغییرات سرعت انتشار نور در محیط از طریق پاشندگی، میزان جذب باریکه حین انتشار در محیط و اثر پارامتر های مختلف در انتشار پالس نوری داخل بلور فوتونی تحلیل و بررسی شده است. نشان داده شده است که اعمال تغییراتی در ساختار یک بلور فوتونی یک بعدی مانند وارد کردن لایه نقص، وارد کردن لایه نقص با اتم های دو...
در سال های اخیر نانوسیم های مغناطیسی چندلایه به ویژه چندلایه های مغناطیسی/غیرمغناطیسی، بواسطه هندسه ی منحصر به فرد و تغییرات بزرگ مقاومت که در حضور میدان از خود نشان می دهند، اهمیت نانومغناطیس را به طور قابل ملاحظه افزایش داده اند. در راستای تحقیق و بررسی این نانوساختارها، نانوسیم های چندلایه fe/cu، با بهینه سازی شرایط الکتروانباشت پالسی و در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و ری...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید