هدف این پروژه بهبود عملیات حذف نویز ضربه ای از تصاویر دیجیتال است. مسئله در نگاه کلی به دو گونه بیان می شود. کاهش مدت زمان عملیات حذف نویز ضربه ای از تصویر و افزایش کیفیت تصویر خروجی. در این پروژه، سه روش جدید برای میل به این اهدف ارائه شده است. در روش اول راه کاری برای افزایش سرعت عملیات حذف نویز از تصاویر دیجیتال براساس بهینه کردن الگوریتم تشخیص و جبران نویز، پیشنهاد شده است. در این روش با به...

امروزه پردازنده ها ها از میلیارد ها ترانزیستور تشکیل گردیده است. بنابراین اطمینان از عملکرد آن ها در همه شرایط کار بسیار دشواری است. بنابراین طراحی های باید در ابتدا به گونه ای باشد تا تست قطعات به راحتی صورت گیرد. یکی از روش های پر کاربرد در تست مدارات دیجیتال استفاده از طراحی bist برای تست مدارات می باشد. طراحی bist به گونه ایست که الگوهای تست به صورت داخلی در مدار تولید شده و به مدار اعمال م...

با توجه به نقش اصلی گیت­های xnor-xor و با توجه به این که مدارهای بلوک­های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب­کننده­ها، تمام جمع­کننده­ها، مقایسه­گرها و دیگر مدارها هستند، روش­های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (deep submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد م...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

هدف: : هدف اصلی این مقاله ارزیابی میزان اشاعه مقالات علمی پژوهشگران علم اطلاعات و دانش‌‌شناسی جهان در شبکه‌‌‌‌‌‌های اجتماعی است. روش‌شناسی: این پژوهش از نوع مطالعات علم‌سنجی است که با روش تحلیل محتوا و با استفاده از شاخص‌های آلمتریک انجام شد. تمام مقالات حوزه علم اطلاعات و دانش‌شناسی نمایه‌شده در پایگاه وب آو ساینس از نظر شاخص‌های آلتمتریک و همچنین تحلیل محتوای مقالات در شبکه‌‌های اجتماعی مورد ...

چکیده ندارد.

در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...

تمایل بشر به افزایش مینیاتورسازی قطعات الکترونیکی، برای بدست آوردن چگالی تجمیع بالا و سرعت بیشتر باعث احساس نیاز روزافزون در حوزه آماده سازی مواد و فرآیندهای تولید قطعات شده است. پس برای رسیدن به قابلیت های بیشتر در ارتباط با افزاره های الکترونیکی نیاز به قطعاتی داریم که دارای ویژگی های زیر باشند: 1- دارای قابلیت مجتمع سازی با چگالی بالاتر 2-سرعت پردازش بالاتر 3-مصرف توان کمتر در این راستا ...