رکت ذرات در مقیاس میکرو و نانو به پارامترهایی بستگی دارد که در سطح مولکولی خود را نشان می دهند. بررسی پدیده انتقال ذرات در این مقیاس با استفاده از مدل محیط پیوسته در مکانیک سیالات امکان پذیر نمی باشد. علاوه بر این، مطالعه تجربی انتقال ذرات در این مقیاس مستلزم صرف هزینه های فراوان می باشد. لذا، جریان درون میکرو و نانو کانال ها باید در سطح مولکولی تعریف و بررسی شوند. در رساله حاضر جریان نانوسیال ...

تحقیقات نشان داده است که میدان مغناطیسی می تواند بر رفتار سیالات تأثیر بگذارد. جریان گاز محترق نیز به عنوان یک سیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرد. وجود میدان مغناطیسی در جریان، سبب ایجاد نیروی لورنتس می شود که با جهت جریان مخالفت می کند. نیروی لورنتس ایجاد شده خود سبب تغییر در شکل شعله، دمای شعله و مقدار کسر مولی محصولات احتراق می گردد. این تغییرات با توجه به نوع سوخت می تواند متفاوت با...

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

در سال های اخیر مبحث جداساز لرزه ای به طور خاص در طراحی لرزه ای ساختمان ها مورد توجه قرار گرفته است. هدف اصلی از این کار، جداسازی سازه از زمین بجای استفاده از روشهای مرسوم مقاوم سازی میباشد. تجهیزاتی که در جداسازی پایه ی ساختمان مورد استفاده قرار میگیرند دارای دو مشخصه ی مهم انعطاف پذیری و قابلیت جذب انرژی می باشند. انعطاف پذیری سیستم جداگر سبب افزایش زمان تناوب اصلی سازه و خارج شدن آن از محد...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

در این مقاله، اثر میدان های کمکی و فاصله کانتورهای حجمی از نوک ترک، بر دقت محاسبه ضرایب شدت تنش مواد تابعی با روش انتگرال تعاملی مورد بررسی قرار می-گیرند. ابتدا با تعریف مناسبی از میدان های کمکی جابجایی، کرنش و تنش، رابطه سازی انتگرال تعاملی بدون هرگونه وابستگی به مشتق گیری از خواص مواد، انجام می شود. برای محاسبه انتگرال تعاملی، میدان های واقعی و کمکی جابجایی، کرنش و تنش استفاده می شوند. میدان ...