چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیردر خلاء، کندوپاش و حمام شیمیایی استفاده می شود. از بین این روش ها، س...

بدون شک در آینده ای نه چندان دور، انرژی خورشیدی به دلیل سازگاری با محیط زیست به فراگیرترین منبع انرژی مورد استفاده بشر تبدیل خواهد شد. استفاده از انرژی حرارتی خورشید در سیستم های مبتنی بر به کارگیری کلکتورهای خورشیدی، از اهمیت خاصی برخوردارند. در کلکتورهای خورشیدی، معمولاً از سطوح جاذبی با پوشش های انتخابی طیفی استفاده کرده که دارای ضریب جذب خورشیدی (?) بالا و ضریب نشر حرارتی (?) پایینی هستند. ل...

دی اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم عضوی از گروه مواد اکسیدی رسانای شفاف است. لایه های نازک دی اکسید قلع در صورت آلایش با آلومینیوم جزو نیمرساناهای تبهگن بوده و انتظار می رود خواص فیزیکی جالبی از خود نشان دهند. از آنجا که این لایه ها دارای ویژگی های منحصر بفردی از قبیل شفافیت در ناحیه مرئی، رسانندگی خوب و چسبندگی عالی به زیرلایه ها هستند به عنوان اتصالات شفاف در ابزارهای اپتوالکترونیکی و میکروالک...

استفاده از نیمه هادی های اکسیدفلزی، برای ساخت ادوات مختلف نظیر حسگر های گاز و سلول های خورشیدی، حائز اهمیت بوده و همواره مورد مطالعه واقع شده است. در این میان برای افزایش حساسیت حسگرها از روش های مختلفی مانند افزایش دمای سطح حسگر، افزودن ناخالصی و یا اضافه کردن لایه هایی از فلزات نجیب به نیمه هادی اکسیدی و به کار گیری ساختار های نانو، استفاده می شود. کار حاضر با هدف افزایش پاسخ و انتخاب پذیری ح...

همانطور که می دانید فلوئورین تین اکساید (fto) یک نیمه رسانا نوع n است.این نیم رسانا برتریهایی نسبت به ماده ی دیگر مورد استفاده در سلولهای خورشیدی در سالهای اخیر یعنیito دارد، ازجمله ی این برتری ها می توان به مقاومت بیشتردر برابر خوردگی ودرصد عبور نور مرئی بیشتر، مقاومت الکتریکی پایین تر و میزان جذب آب کمتر اشاره کرد. به همین دلایل کاربرد fto در سلول خورشیدی مناسب تر از ito به نظر می رسد. به همی...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روش های متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده...

در این پروژه با لایه نشانی اکسید فلزی ito خواص نوری و الکتریکی، ساختار لایه ای، خواص عمومی و ساختار کریستالی، ویژگی های اپتیکی این لایه مورد بررسی قرار گرفته است. زیر لایه ito با استفاده از کندوپاش rf در محیط گاز آرگون و بدون گرمادهی به زیر لایه، به مدت 10 دقیقه با هدف نقره لایه نشانی شده است. پس از آن خواص فیزیکی این اکسید فلزی با استفاده از روش های کریستالوگرافی بررسی شده است. آنالیز میکروسکو...

در سال های اخیر لایه های نازک اکسیدکادمیم (cdo) به دلیل داشتن رسانایی الکتریکی خوب و عبور بالا در ناحیه ی مرئی به عنوان ماده مطلوب جهت ساختن قطعات اپتوالکترونیکی همچون حسگرهای گازی، سلول های خورشیدی و دیودهای نوری مورد توجه قرار گرفته اند. cdo ذاتا یک نیمرسانای نوع n با ساختار بلوری مکعبی است، که دارای گاف نواری مستقیم با انرژی ev7/2-2/2 و گاف نواری غیرمستقیم با انرژی ev 98/1 می باشد. لایه های ...

امروزه تکنولوژی لایه های نازک در صنایع متالورژی، از رشد بسیار بالایی برخوردار است. اصولا لایه های متالورژیکی که از این طریق ایجاد می شوند، به منظور بهبود کارایی و افزایش طول عمر انواع وسایل و ابزارهای برشی، قالب ها و پره های توربین های گازی و همچنین کاهش سایش در بلبرینگ ها مورد استفاده قرار می گیرند. عمده ترین ویژگی های فیزیکی و شیمیایی این لایه ها عبارتند از : الف) سختی بسیار بالا ب) دمای ذو...

در طی سالیان اخیر توجه زیادی به وسایل و قطعات الکترونیکی و میکروالکترونیکی بنا شده بر مبنای اکسید روی معطوف گردیده است. اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با فاصله نواری پهن و با ساختار کریستالی هگزاگونال ورتزایت بوده و به خاطر داشتن تحرک زیاد الکترونهای رسانش و پایداری حرارتی و شیمیایی می تواند به عنوان گزینه ای مناسب جهت حسگرهای گازی مورد استفاده قرار گیرد. همچنین دارای رسانندگی و عبور اپتیکی زیا...