در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این تحقیق تلاش شده است تا راهی آسان و بدون نیاز به شرایط سخت آزمایشگاهی جهت تولید نانوساختار ارزشمند گرافنی معرفی شود. نانوصفحات گرافن بر اساس فرایند شیمیایی و با استفاده از امواج فراصوت با شدت پایین، تولید شده است. مزیت اصلی این روش، کوتاه بودن زمان انجام واکنش و هم چنین پایین بودن دمای حاکم بر فرایند است. به طوری که در مدت زمان 30 دقیقه در دمای محیط، نانوصفحات گرافنی با کیفیت بالا تولید شد...

مراجع ولتاژ و جریان یکی از اصلی ترین بلوک ها در مدارهای دیجیتال و آنالوگ هستند. عملکرد یک مرجع به وسیله حداکثر تغییرات در شرایط عملیاتی مجاز خود سنجیده می شود. یکی از مهم¬ترین مشخصه های یک مرجع تغییرات دمایی آن است. بنابراین، باید با توجه ویژه¬ای به رفتار حرارتی مرجع ولتاژ و مرجع جریان پرداخته می شود. دیگر مشخصه ایی که کارایی یک مرجع را مشخص می¬کند تغییرات خروجی نسبت به تغییرات ولتاژ تغدیه است....

در این پژوهش بر پایه نظریه تابعی چگالی و محاسبات اصول اولیه با استفاده از کد سایستا 3 لایه ای گرافن / بورنیترید هگزاگونال / گرافن را در غیاب هرگونه میدان خارجی مورد بررسی قرار داده ایم و انواع حالت های مختلف این 3 لایه ای را با یکدیگر مقایسه و حالت پایه را تعیین و خواص آن را بررسی کردیم. در ادامه اثر میدان الکتریکی خارجی را بر گاف انرژی این 3 لایه ای مورد بررسی قرار دادیم. در انتها نیز این 3 لا...

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

دراین رساله مختصری در رابطه با فناوری نانو و کاربردهای آن پرداخته شده است. سپس ساختار اتم کربن و پیوندهای بین اتمهای آن و بویژه گرافیت، گرافن و نانولوله کربنی اعم از رسانا و نیمه رسانا که با تغییر کایرالیته بوجود می آیند و ترازهای انرژی، چگالی حالت و چگونگی ساخت نیمه هادی نوع n و p با نانولوله کربن پرداخته شده است. در ادامه ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولوله کربن از دو نوع سد شاتکی و شبه mo...

در این پروژه به طراحی و شبیه سازی نانو زیست حسگر برای تشخیص نشانگر تومور سرطانی gly127، با استفاده از نانو صفحه گرافن، می پردازیم. گرافن یک نانو ذره دو بعدی است که دارای مشخصه های خوبی همچون تحرک پذیری بالا و زیاد بودن نسبت سطح به حجم است که می تواند یک مزیت نسبت به دیگر نانوذرات باشد. ما در این تحقیق با استفاده از نرم افزار virtual nano lab(vnl)، که یک شبیه ساز در مقیاس نانو می باشد، الکترود و...

ما دراین پایان نامه انرژی یک سیستم گرافنی و نانولوله آرم چیر را به کمک روش تندترین کاهش شیب، کمینه کرده ایم. در این بررسی از شبیه سازی مکانیک مولکولی و پتانسیل وسیلی و ترسف استفاده شده است. علت استفاده از این پتانسیل این است که، امروزه برای گرافن فقط مدل میدان نیروی والانس پیشنهاد شده است که برای نانو لوله و فولرن در شکلهای آشفته یا آزاد نیز به کار می رود . ابتدا گرادیان پتانسیل وسیلی و ترسف...

امروزه گرافن به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی، مکانیکی وشیمیایی برجسته، آن را برای بکارگیری در دستگاه های الکترونیکی قابل انعطاف بسیار جذاب و پرطرفدار نموده است. صفحات گرافنی به عنوان الکترود های رسانا شفاف دربسیاری از کاربرد ها ازجمله صفحات لمسی، سلول های خورشیدی و آشکارساز ها استفاده میشود. در صفحات لمسی متداول از ito استفاده می شود. دراین صفحات لمسی به علت شکنندگی ito نمی توان آنراخم نمو...

جذب کننده های کامل بر اساس فرامواد کاربردهای بسیاری دارند. جذب کامل با حذف کامل انرژی منتقل شده و بازتاب شده و اتلاف همه ی انرژی تابیده شده توسط فرا اتم های جذب کننده شناخته می شود. در این جا نشان می دهیم که چگونه از ورقه های گرافن به عنوان بلوک های سازنده برای جذب کننده ی کامل استفاده کنیم. سپس یک فرا اتم جذب کننده بسیار نازک که در یک فاصله ی مناسب از یک صفحه ی زمین فلزی قرار گرفته است را بررس...