نتایج جستجو برای: ترانزیستور fgmos

تعداد نتایج: 496  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز 1390

سیستم های میکرو الکترومکانیک ونانو الکترو مکانیک امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند.با توجه به پتانسیل بالقوه شان کاربرد های این سیستم ها رو به افزایش می باشد. سویچ های mos که امروزه در اکثر سیستم های دیجیتالی بکار می روند در واقع با اعمال الکترون به نیمه هادی یا حذف آن باعث ایجاد یک جریان یا قطع آن می شود، حال اگر نوع جدید از سوییچ که در آن قطع و وصل از طریق تونل زنی الکترون انجام شود سوییچ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1391

اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...

ماهوارة مخابراتی یک ماهوارة مصنوعی است که سیگنال ارتباطات رادیویی را از طریق یک فرستنده تقویت و بازپخش می­کند. این ماهواره‌ها معمولاً از این قسمت­ها تشکیل شده‌اند: 1) زیر سیستم مخابراتی شامل ترنسپوندر، آنتن و سیستم سوئیچینگ، 2) موتورهایی جهت قرار دادن ماهواره در مدار دلخواه، 3) زیرسیستم پایدارساز جهت تثبیت حرکت ماهواره در مدار اصلی خود، 4) زیر سیستم تغذیة ماهواره و 5) زیر سیستم فرمان و کنترل. بح...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد 1388

روند رو به پیشرفت تکنولوژی در کوچک سازی ترانزیستورها تا جایی ادامه پیدا نمود که نسل جدیدی از ترانزیستورها که به آنها ترانزیستورهای تک الکترونی گفته می شود پدید آمدند .نسل جدید ترانزیستورها همانند ترانزیستورهای قبلی از قوانین جاری فیزیک در جابجایی الکترونها پیروی نمی نمایند. ناگزیر به بررسی اجمالی چند نمونه از قطعات تک الکترونی و پس از آن به تجزیه و تحلیل ترانزیستور تک الکترونی پرداخته و سعی در...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده مهندسی برق 1392

با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم انسانی و اجتماعی 1388

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده برق 1391

هدف از اجرای این پروژه طراحی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 4.4ghz تا 5ghz در کلاس f و با سطح سیگنال ورودی 22dbm وتوان خروجی 1wو کارآییpae بیشتر از 35% می باشد . این تقویت کننده توان با المانهای ریز نوار و با استفاده از ترانزیستور fpd3000 ساخت کارخانه filtronic طراحی گردیده است . در طراحی این تقویت کننده توان از روش آنالیز load pull و source pull برای بدست آوردن امپدانس بهینه ورودی وخروجی ت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید