چکیده: در این مقاله یک تک سلول جدید برای آنتن آرایه بازتابی بهمنظور ایجاد دو قطبش خطی در باند X و فرکانس مرکزی GHz 10/7  ارائه شدهاست. این تک سلول با استفاده از تغییر طول دنباله الحاقی فاز مورد نیاز برای آنتن آرایه بازتابی را کنترل میکند که دارای دامنه ضریب بازتاب کمتر از dB 0/14 است. همچنین سطح قطبش متعامد این عنصر برای تابش عمود کمتر از dB 60- و  شیب مشخصه فاز آن در فرکانس مرکزی            0/...

در این پروژه، ابتدا حالت های همدوس و فشرده ی نوسانگر هماهنگ ساده را معرفی می کنیم و با تعمیم این حالت ها به یک سیستم کوآنتومی با پتانسیل دلخواه، حالت های همدوس، فشرده و هوشمند تعمیم یافته را معرفی خواهیم کرد. سپس حالت های همدوس (حالت های رادکلیف) و فشرده ی اسپینی را در تناظر با حالت های همدوس و فشرده ی نوسانگر هماهنگ ساده تعریف نموده و ویژگی های آن ها را بررسی می کنیم. درادامه با استفاده از راب...

. تأثیر میدان مغناطیسی خارجی، اضافه کردن زوج الکترون-پوزیترون و هم چنین نوع قطبش بر روی خاصیت خود همگرایی مطالعه شده است. نشان داده شده است که ترکیب زوج الکترون- پوزیترون با پلاسمای الکترون– یون رفتار پلاسما را با توجه به میدان مغناطیسی خارجی تغییر می دهد. علاوه بر این کار، ما خود همگرایی را در انتشار مورب باریکه لیزری در پلاسمای داغ الکترون-یون بررسی کرده ایم. اثر زاویه ی انتشار روی خود همگرا...

در سال های اخیر انتقال قطبیده ی اسپینی در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل ظهور در شاخه ی اسپینترونیک، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. آینده ی سازه های دیجیتال ممکن است علاوه بر دست کاری بار الکتریکی، با اسپین الکترون نیز سروکار داشته باشد. فرآیندهایی که علاوه بر بار الکتریکی از اسپین الکترون نیز بهره می جویند، به عنوان اسپینترونیک شناخته می شوند. از این روی، جریان وابسته به اسپین در اتصالات مولک...

محققین، ادوات اسپینی را جهت بهبود عملکرد ادوات الکتریکی پیشنهاد داده اند. ادوات اسپینی مهمترین نقش خود را در ساخت ترانزیستورها ی اسپینی ایفا کرده اند. همانطور که در این پایان نامه نیز به آن خواهیم پرداخت، ترانزیستورهای اسپینی بر روی صفحه ی گرافینی با برخورداری از قابلیت گرافن جهت رفع چالش های ترانزیستورهای فعلی ارایه شده اند. که سرعت این ترانزیستورها به علت بالا بودن سرعت حرکت الکترونها در سطح ...

جفت شدگی فوتون ها و مگنون ها میتوانند بصورت رفتار جفت شدگی فوتون ها وفونونها توجیه شوند. معادلات موج جفت شده بطور مستقیم از هامیلتونین چگالی مشتق، می شوند که این بروش چگالی امکان پذیر است . همچنین احتمال برانگیخته شدن مدهای موج اسپینی توسط امواج الکترومغناطیسی در فرومغناطیس ها، فری مغناطیس ها و پادفر و مغناطیس ها وجود دارد و ترکیب جفت شدگی مغناطیسی بوسیله برانگیزش مگنون تحلیل می شود. جذب امواج ...

پراکندگی ناکشسان ژرف لپتونهای قطبیده از نوکلئون های قطبیده ، مهمترین اطلاعات را از توابع ساختار وابسته به اسپین نوکلئون فراهم می کند. مسئله مهم دیگر ، چگونگی توزیع اسپین هادرون در بین محتوای کوارکیآن بوده و تحول توایع توزیع پارتونی هنوز یک مسئله حل نشده در فیزیک انرژی بالای هادرونی است.

در این تحقیق ترکیبات هیدروژنه و نیتروژنه 2 v 1 0 yfe و 2 v 1 0 ndfe به روش واکنش فاز جامد-گاز ساخته و خواص ساختاری و مغناطیسی آنها مطالعه شد. نتایج پراش پرتو x نشان می­دهند که نمونه­های ساخته شده تا حد بهتر از 95% تک­فازند، که این خلوص پس از هیدروژن دهی بهبود نیز می­یابد. نفوذ نیتروژن موجب ناپایداری ساختار بلوری و خردشدن آن می­شود، که ناشی از جایگیری اتمهای نیتروژن به جای اتمهای آهن در ساختار ب...

پراکندگی الکترون‌ها از هدف‌های هادرونی نقش مهمی در فهم ما از پروتون به عنوان یک ذرّه‌ی مرکب ساخته شده از پارتون، بازی می‌کند. با افزایش دقت آزمایش‌های پراکندگی ناکشسان ژرف، پیشرفت‌های قابل مقایسه در دقت ابزارهای نظری امری مسلم است، به خصوص برای استخراج توابع توزیع پارتونی در ناحیه‌ی x بزرگ، تصحیح داده‌ها به وسیله‌ی اثرات مرتبط با تصحیحات جرم غیرصفر هدف، ضروری به نظر می­رسد. در این مقاله اثرهای م...

با رشد روزافزون تکنولوژی،و تلاش برای نیل به ابعاد کوچکتر، مصرف کمتر و بازده بیشتر اسپینترونیک توانسته است سهم به سزایی از تحقیقات تئوری وتجربی را به به خویش اختصاص دهد. در این زمینه اثراتی مانند gmrو tmrو اخیرا پدیده گشتاور انتقالی اسپینی مطرح شده است. از آن جا که انتظار می رود پدیده انتقال اسپین نقش مهمی در حوزه در حال رشد الکترونیک اسپینی داشته باشد، این اثر به طور ویژه مورد توجه قرار گرفته ا...