نتایج جستجو برای: نانوذرات تقویت کننده

تعداد نتایج: 101197  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1388

در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

از زمانی که برای اولین بار استانداردهای شبکه های بی سیم مطرح شدند، روزبروز استانداردهای جدیدتری پیشنهاد می شوند و تنوع بیشتری می یابند. از این استانداردها می توان استانداردهای gsm، gps، umts، bluetooth، wlan و wimax را نام برد. امروزه به جای اینکه برای پشتیبانی از هر استاندارد، یک گیرنده بی سیم مجزا وجود داشته باشد سعی بر طراحی گیرنده ای است که بتواند چندین استاندارد مختلف را پشتیبانی کند یعنی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

سوییچ های تمام نوری پرسرعت نقش مورد توجه ای برای مالتی/ دی مالتی پلکس در سیستم های مخابرات نوری دارند. در این بین تقویت کننده نوری نیمرسانا با اندازه کوچک، امکان مجتمع شدن با ادوات نوری و قابلیت تقویت پالس های فوق باریک گزینه مناسبی برای انجام عمل سوییچینگ است. برای حل مشکل پایین بودن طول عمر حامل ها و افت شدید بهره پس از عبور چند بیت در تقویت-کننده نوری نیمرسانا حجمی، در پژوهش های اخیر استفاده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1390

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1392

هدف از انجام این پژوهش، بررسی رفتار سایشی نانوکامپوزیت al-sic در بارهای اعمالی و دماهای مختلف و مقایسه آن با آلومینیم تقویت نشده است. بدین منظور نمونه های کامپوزیتی با کسر حجمی های 0، 1، 3 و 5 درصد نانو sic به روش متالورژی پودر و به شکل دیسکی تهیه شدند. پس از بررسی ریزساختار نمونه ها و اندازه گیری چگالی و سختی، نمونه های تهیه شده تحت آزمون سایش پین روی دیسک قرار گرفتند. جهت بررسی اثر بار اعمالی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

در سیستم های مخابراتی همواره نیاز به تقویت کننده های توان خطی با بازده بالا داریم. برای داشتن بازده بالا می توان از تقویت کننده های مد سوییچینگ کلاس e، f وf-1 استفاده کرد. با توجه به اینکه این نوع تقویت کننده در ناحیه اشباع عمل می کنند بنابراین دارای خاصیت خطی نمی باشند و نمی توانند جایگزین تقویت کننده های خطی در فرستنده های wcdma شوند. برای حل این مشکل می توان از تکنیک هایی مانند doherty، linc...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی مکانیک 1393

ماشین افزار فورج سرد مافوق صوت ( ucf)، سیستمی است که با استفاده از فناوری مافوق صوت باعث تغییر ساختار سطح آلیاژهای فلزی از میکرو به نانو و بهبود خواص مکانیکی آن ها می شود. از آن جایی که طراحی کلگی تمامی دستگاه های ucf تا پیش از این پژوهش تنها قابلیت اجرای فرایند روی سطوح بیرونی شافت و لوله و سطوح تخت ورق های فلزی را داشت، خلا بکارگیری این قرایند روی سطوح داخلی لوله و سیلندرهای فلزی که کاربرد وس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده برق 1392

در این پایان نامه یک تقویت کننده با بهره متغیر (vga) طراحی شده است. این مدار از دو طبقه تشکیل شده است. طبقه اول یک تقویت کننده با بهره متغیر و طبقه دوم یک تقویت کننده با بهره ثابت می باشد. بهره کل مدار از 6db تا 20db با گام های 0.5db قابل تغییر است. این vga به صورت حلقه باز با پهنای باند-3db بزرگتر از 500mhz است. پهنای باند مدار در تمام گام ها ثابت باقی می ماند و مستقل از تغییرات بهره مدار است....

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
مژگان محسنی کارشناس ارشد/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد مهدی دولتشاهی استادیار/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و ...

ژورنال: :علوم و تکنولوژی پلیمر 0
فتح الله فرهادی

0

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید