در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...

هدفم از تحقیق و نگارش این پایان نامه ارائه راه حلی منطبق با شرع (قرآن، سنت و فقه شیعی)، قانون و اخلاق برای استحکام خانواده بوده است . و به این نتایج دست یافته ام که آنرا مفصلا" در فصلهای 6 گانه آورده ام. فصل اول پیشینه تاریخی خانواده در ایران و جایگاه آن در اسلام. فصل دوم انتخاب همسر بر اساس معیارهای شرعی و منطقی (انتخاب عاقلانه)، خواستگاری و جایگاه آن در شرع و قانون و توجه به ظاهر، ایمان، عقل ...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

دراین مقاله نتایج چینه شناسی حاصل از مطالعه براکیوپودها و کونودونتهای بخش زیرین تشکیلات خوش ییلاق گردیده است. براساس براکیوپودهائی که ازلایه های زیرین این تشکیلات جمع آوری وتعیین شده باید این لایه ها را که تا بحال بعنوان دونیین میانی منظور شده بود دونیین پائین و در حقیقت وامسیین emsian بالائی دانست.پنج گونه از این براکیوپودها تا بحال فقط در رسوبات امسیین بالائی آلمان یافت شده و برای اولین مرتب...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

دراین مقاله نتایج چینه شناسی حاصل از مطالعه براکیوپودها و کونودونتهای بخش زیرین تشکیلات خوش ییلاق گردیده است. براساس براکیوپودهائی که ازلایه های زیرین این تشکیلات جمع آوری وتعیین شده باید این لایه ها را که تا بحال بعنوان دونیین میانی منظور شده بود دونیین پائین و در حقیقت وامسیین Emsian بالائی دانست.پنج گونه از این براکیوپودها تا بحال فقط در رسوبات امسیین بالائی آلمان یافت شده و برای اولین مرتب...

سیستان در طی تاریخ و به تناوب با نام های گوناگونی چونسکستان، سیستان، نیمروز و نامهای دیگری خوانده شده و جدا از نقشی که در تدوین تاریخ مذهبی ایران پیش از اسلام داشته در دوران اسلامی نیز از اهمیت بسیاری برخوردار بوده است. در مورد جغرافیای کنونی سیستان ابهام چندانی وجود ندارد ، اما دانسته های جغرافیایی در مورد ادوار گذشته ی سیستان، باتوجه به تغییرات پی در پی چهره ی زمین درین منطقه به هیچوجه کافی ن...

در این گزارش روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می شود. درحالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، iip3 بهبود می یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می توان با استفاده از فیلتر lc و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست ...