تکنولوژی حسگرها به طور گسترده ای برای تشخیص گازها مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است. با توجه به کاربرد های متفاوت و محدودیت های ذاتی تکنولوژی حسگرهای گاز پژوهشگران مشغول تحقیق بر روی طرح های متفاوتی هستند تا حسگرهایی با دقت و کالیبراسیون بهتری ابداع کنند. در این پایان نامه از اتصال شاتکی نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت حسگر گاز آمونیاک استفاده شده است. در این راستا دو ماده حساس به گاز آمون...

در این تحقیق ابتدا سنسور گاز mtt را با استفاده از نرم افزار matlab به نحو مطلوبی مدل سازی نمودیم تا تأثیر برخی از پارامترهای موثر در طراحی این سنسور شامل تراکم گاز، ضخامت سد تونلی پیوند بیس- امیتر و ارتفاع سد شاتکی پیوند کلکتور- بیس را بر روی میزان پاسخ دهی سنسور گاز mtt مورد مطالعه قرار دهیم. یکی از نتایج جالب حاصل از این مدل سازی نشان داد که در تراکمهای خیلی کمِ گاز میزان پاسخ دهی سنسور با سد ...

اتصال فلزهای مختلف به نیمه هادی های اکسیدی به ویژه اکسید قلع، برای ساخت ادوات مختلف، نظیر حسگر¬های گاز و سلول¬های آفتابی، حائز اهمیت بوده مورد مطالعه واقع شده است. با این وجود، بررسی¬ ویژگی¬های اتصال نقره-اکسید قلع، احتمالا به دلیل وابستگی قابل ملاحظه آن¬ها به پارامتر¬های محیطی، مورد توجه شایسته قرار نگرفته است. کار حاضر با هدف شناخت اتصال نقره-اکسید قلع آغاز شد. ابتدا، فیلم¬های اکسید قلع به دو...

در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (i-v) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (ms) au/n-gan (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (mos) در ساختار au/sio2/n-gaas، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی ب...

دیودهای شاتکی پلیمری، بر پایه پلی آنیلین آلائیده با نانوذرات سولفیدروی و با اتصال اهمی طلا و اتصال شاتکی آلومینیم که با استفاده از لایه نشانی تبخیر در خلأ بر روی نمونه ها لایه نشانی شدند، مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت.منحنی مشخصه i-v و c-v دیودهای شاتکی پلیمری تهیه شده یک نوع رفتار یکسوکنندگی را از خود نشان دادند. از روی منحنی مشخصه ها، پارامترهای پیوندگاهاز قبیل فاکتور ایده آل، ارتفاع سد پتانسی...

نانو ساختارهای فلزی نقش مهمی در طراحی ساختارهای با ابعاد زیر میکرومتری که قادر به کنترل نور در فضایی بسیار کوچکتر از حد پراشند، دارند. محدودسازی نور در چنین نانوساختارهایی حاصل برانگیزش مدهای پلاسمون سطحی (sps) و پلاسمون جایگزیده (lsps) در مرز مشترک فلز و دی الکتریک است. تحقیق و بررسی پلاسمونها علم و تکنولوژی ابزارهای جدیدی را معرفی می کند. هدف از این مطالعه پیشنهاد دادن نانوساختارهای فلزی با ...

در این پژوهش هدف مطالعه ویژگیهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی اتصال ag/tio2 برای ساخت حسگرهای ماوراءبنفش بوده است. مشاهده شد که این اتصال بلافاصله پس از ساخت، سد انرژی صفر در محل پیوند نشان میدهد، ولی ترمیم حرارتی آن در هوا تحت بایاس معکوس و دمای ? 200 سبب تبدیل آن به دیود شاتکی با سد انرژی بزرگ میگردد. در نتیجه این فرآیند ساده، ملاحظه شد که جریان معکوس نمونهها تا 106 مرتبه کاهش مییابد. اجرای تر...

امروزه دیود های شاتکی وابسته به ساختار های فلز- نیمرسانا (ms) و فلز– عایق- نیمرسانا (mis) کاربرد های بسیار گسترده ای در قطعات الکترونیکی و اپتو الکترونیک پیدا کرده اند. ما در این تحقیق تجربی مبادرت به ساخت سه نمونه دیود شاتکی با ساختار های al/p-si ، cu/p-si و /p-si سیلیکون متخلخلal/ نموده ایم. بستگی دمایی مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) آنها در شرایط بایاس مستقیم در محدوده دمایی 300- k 368 انداز...

چکیده ندارد.