به دلیل خواص متنوع و قابل توجه سیلیکان متخلخل، این ماده در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکرو الکترونیک، اپتیک و ساخت انواع حسگرها کاربرد فراوانی دارد.در این پایان نامه تصمیم بر این است که سیلیکان متخلخل ساخته شود و هدایت الکتریکی آن بررسی گردد.برای ساخت سیلیکان متخلخل می خواهیم از روش الکتروشیمیایی استفاده کنیم. در نظر داریم ویفر های سیلیکان نوع p که بدون پولیش هستند را به کار ببریم و د...

در این کار، نانو و میکروساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ ماکرو، بر روی سیلیکان نوع p به روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی در الکترولیت شامل dmf و اسید hf، ایجاد گردید. همچنین نانوساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ مزو به وسیله ی آندی سازی سیلیکان تک بلوری در محلول اسیدهیدروفلوریک و اتانول به دست می آید. تأثیر پارامترهایی همچون زمان آندی سازی، چگالی جریان و غلظت الکترولیت هم بر ساختار تخلخل و هم ...

نانو و میکروساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ ماکرو، بر روی سیلیکان نوع p به روش آندیزاسیون الکتروشیمایی در الکتروشیمایی درالکترولیت شامل dmf و اسید hfایجاد گرید تاثیر پارامترهایی همچون زمان آندیزاسیون چگالی جریان و غلظت الکترولیت هم بر ساختار تخلخل و هم بررسانایی سیلیکان متخلخل در حضور گاز و در هوای محیط بررسی شده است. همچنین در انی کار ما بر مطالعه ی نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل دارای حفر...

نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پا...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

سیلیکان ‏‎si‎‏ از جمله نیمه رساناهایی است که کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارد اما همین عنصر به علت داشتن گاف غیرمستقیم ، دارای خواص ضعیف اپتیکی بوده و جایگاهی در کاربردهای اپتیکی ندارد.یکی از راههایی که می توان بدان طریق در سیلیکان خواص اپتیکی بوجود آورد، کوچک کردن ساختار ‏‎si‎‏ است، به حدی که اثرات کوانتومی در ساختار نواری آن بکار آید. به این ساختار ، سیلیکان متخلخل ‏‎ps‎‏ گفته می شود . لای...

چکیده در این پروژه به ارئه یک روش فیزیکی برای ساخت نانو ذرات سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان می پردازیم. این روش که روش glad نامیده می شود اولین بار در سال 1996 توسط یک گروه تحقیقاتی کانادایی در دانشگاه آلبرتا ارائه گردید. همچنین برای لایه نشانی دستگاه خود را در حالت گرمادهی به روش پرتو الکترونی آماده کردیم. لایه نشانی را در دو زاویه° 75و ° 85 انجام دادیم. منحنی افت زمانی در دو ولتاژ یک و دو ولت ...

نانوساختارهای سیلیکان متخلخل توسط روش آندی در سلول الکتروشیمیایی با چگالی جریان ثابت بدست آمده است که دارای منافذ و خوردگی ستونی می باشد. بسته به زمان خوردگی، می توان نمونه هایی با اندازه ی منافذ متفاوت بدست آورد. برای مطالعه خواص مکانیکی از جمله تعیین اختلاف پارامتر شبکه ای سیلیکان متخلخل از روش های پراش پرتوی ایکس متفاوت استفاده می شود. طیف پراش ایکس دقت بالا از این نانوساختارها دو قله ی براگ...

چکیده تمام سطوح واقعی ناهموار هستند و تاثیر این ناهمواری بر روی پراکندگی امواج، موضوع مورد مطالعه چندین دهه بوده است. با وجود حجم زیاد تحقیقات هنوز مسئله پراکندگی از روی سطوح ناهموار بطور دقیق حل نشده است. در این پایان نامه هدف بررسی مورفولوژی نانو ساختارها به وسیله طیف پراکندگی است. جهت بررسی، سطح سیلیکان متخلخل به عنوان نمونه مورد بررسی، استفاده شد. سیلیکان متخلخل برای نخستین بار در سال 195...

سیلیکان متخلخل از سیلیکان نوع p به روش الکتروشیمیایی با محلول دی متیل فرمآمید(dmf)واسید هیدروفلوریک(hf)و همچنین محلولی ز اتانول و آب و اسید hf ساخته می شود. به وسیله لایه نشانی لایه نازکی از فتالوسیانین سرب بر پلی سیلیکان متخلخل با روش الکترون بیم گان قطعه ساندویچی آماده می گردد.وابستگی دمایی قطعه ساندویچی بر رسانایی را مورد بررسی قرار می دهیم.نمودار i-v نمونه ها در بازه ی دمایی 296-393 برای نم...