sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (teos )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های...

درجه بندی محصولات کشاورزی همواره موضوع تحقیق دانشمندان بوده است. یکی از زمینه های مورد مطالعه درجه بندی میوه براساس میزان رسیدگی آن است. روش های مختلفی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه به کار گرفته شده است که بعضی از این روش ها مخرب و برخی دیگر غیر مخرب هستند. در این تحقیق از روش غیرمخرب خازنی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه ی موز استفاده شده است. رابطه میزان رسیدگی با ثابت دی الکتریک میوه در بسامد یک...

در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی، چگالی حالت ها وچگالی ابر الکترونی، و نیز خواص اپتیکی از جمله: ضریب شکست، ضریب خاموشی، هدایت اپتیکی و تانسور دی الکتریک فازهای مختلف بلور mgsio3با تقارن های pbca ، pnma و cmcm محاسبه شده است. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهارچوب نظریه ی تابعی چگالی(dft) انجام شده است. به طور کلّی محاسبات کار حاضر نشان می دهد، با افزایش فشار...

در سال های اخیر، با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ثابت دی الکتریک زیاد به شدت رو به افزایش است. در کاربردهای عملی، این مواد عمدتاً به شکل کامپوزیت های پلیمری حاوی انواع پرکننده های سرامیکی و رسانای فلزی و غیرفلزی طراحی و استفاده می شوند. هر گونه ای از این پرکننده ها با سازوکار مشخصی خواص دی الکتریک کامپوزیت نهایی را بهبود می دهند. در این میان، استفاده از ذرات سرامیکی روش...

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

سرامیک­های دی الکتریک به دلیل تنوع در ترکیب و داشتن ویژگی­های دی الکتریک منطبق با نیازمندی­های صنعت الکترونیک و ارتباطات بیسیم به­شدت مورد توجه واقع شده­اند. از جمله این سرامیک­ها، می­توان به کامپوزیت­های سرامیکی اشاره کرد که با ارائه ویژگی­های دی الکتریک مطلوب در محدوده فرکانس امواج مایکروویو و با داشتن یک فاز سرامیکی دی الکتریک و یک فاز شیشه به­عنوان کمک­زینتر در فناوری پخت همزمان کم­دمای سرا...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این پایان نامه به بررسی فرامواد به عنوان موادی مصنوعی با ویژگی هایی ممتاز و منحصر به فرد که در طبیعت یافت نمی شود، می پردازیم. مفاهیم پایه و ویژگی های انتقال امواج الکترومغناطیس در فرامواد را مورد مطالعه قرار داده و مواد با گذردهی الکتریکی منفی و نفوذپذیری مغناطیسی منفی را به عنوان اجزای تشکیل دهنده فرامواد با ضریب شکست منفی بررسی می کنیم. سپس فراماده تشدیدگر حلقوی شکاف دار را به عنوان ساختا...

اندازه گیری های گذردهی نسبی مخلوط های دوتایی (1و2- بوتان دی ال + 1و4- دی اکسان)، (2- اتیل- 1- هگزانول + 1و4- دی اکسان) و (1و2- بوتان دی ال + 2- اتیل- 1- هگزانول) برای غلظت های مختلف در دماهای 2/293، 2/298، 2/308 و 2/318 کلوین انجام شد. ممان دوقطبی های مولکولی بوسیله ی روش گوگن هایم- دبای در محدوده ی دمایی 2/293 تا 2/318 کلوین تعیین شدند. تغییرات ممان دو قطبی موثر و فاکتور همبستگی بر حسب کسر مول...