بررسی ساختار نواری نیمرسانای 2h-sic با استفاده از برنامه شبیه ساز ابی نت و تعیین پارامترهای جرم موثر، انرژی گاف و فاصله بین دره ها برای شبیه سازی خواص ترابرد الکترون در میدان های الکتریکی شدید؛ همچنین محاسبه آهنگ پراکندگی الکترون در اثر فونون های اپتیکی و آکوستیکی و همچنین وجود ناخالصی های یونیزه.

در این تحقیق، نانوپودر سرامیکی pb(zr1-xtix)o3 به ازای x =0/48، در نزدیکی مرز مورفوتروپیک، به دو روش همرسوبی و احتراق ژل تهیه شدند. تاثیر دمای تکلیس بر ساختار و ویژگی های نانوپودرهای pzt تهیه شده به روش احتراق ژل بررسی شد. پارامترهای اپتیکی از جمله ضریب شکست، قسمت حقیقی تابع دی الکتریک و فونون های اپتیکی، در گستره عددموج 400cm-1 تا 4000cm-1، به کمک روابط کرامرز- کرونیگ محاسبه شدند. گاف اپتیکی نم...

  به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس GaAs در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.

در این پژوھش ما قصد داریم کھ با استفاده از مدل ھامیلتونی ھولشتاین کھ برھمکنش الکترون- فونون اپتیکی را توصیف می کند مطالعھ ای روی آثار شدت این نوع برھمکنش در رفتار دمایی ضریب ھدایت الکتریکی نانولولھ ھای برن نیترید تک لایھ داشتھ باشیم.تقریب پاسخ خطی کوبو جھت محاسبھ ی این ضریب ھدایت مورد استفاده قرار میگیرد.این تقریب ضرایب ترابری را بر حسب تابع ھمبستگی جریان - جریان بیان میکند کھ جھت انجام محاس...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

پلاسمونیک در گرافین، آرایه¬ای دو بعدی از اتم¬های کربن در یک شبکه لانه زنبوری، در سال¬های اخیر مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. گرافین همانند مواد پلاسمونیکی مرسوم مانند طلا و نقره، توانایی انتقال نور در سطح خود را به صورت پلاسمون پلاریتونهای سطحی دارا می-باشد. این ماده در گستره¬های تراهرتز و مادون قرمز دارای تلفاتی ناچیز بوده و بنابراین پلاسمون پلاریتونهای سطحی که در این گستره¬ها، مخص...

نقش مهم برهمکنش قوی الکترون – فونون را در ابررسانای دمای بالا با ارزیابی نتایج برخی آزمایشهای مهم, مانند پراکندگی ناکشسان نوترون و پرتوی x, طیف سنجی نوری با تفکیک زاویه ای, و اثر ایزوتوپ بررسی می نماییم. همچنین, نتایج محاسباتی خود از ویژه مقادیر و ویژه بردارهای مدهای ag رامان و وابستگی ساختار نوارهای الکترونی به تغییر مکان یونها را بر اساس نظریه تابعی چگالی عرضه می کنیم. به روشنی مشهود است که ن...