در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

با استفاده از محاسبات کوانتومی مبتنی بر نظریه تابعی چگالی و روش شبه پتانسیل، خواص الکترونی انبوهه آهن و کبالت و همچنین آلیاژ آهن و کبالت محاسبه شد و سپس با اعمال نظریه توابع وانیر و فاز بری، رسانایی ذاتی غیر عادی هال در این ساختارها استخراج گردید. مشاهده شد که شکافتگی­های نواری ناشی از برهم کنش اسپین­مدار در تراز فرمی، سهم اصلی را در انحنای بری داراست. نتایج به دست آمده توافق قابل قبولی با اندا...

عوامل موثر در فرآیند توسعه فناوری، شامل کشش تقاضا و فشار عرضه است و تعامل بین محرکه ها (انگیزش ها)، توانمندی ها و نهادهای مرتبط نیز به توسعه فناوری می انجامد. مبانی نظری فرآیند توسعه فناوری در مکاتب مختلف مورد توجه قرار گرفته و اقتصاددانان بعد از دوره کلاسیک نیز مفهوم و مصداق فناوری را به شرح زیر مورد بحث و بررسی قرار داده اند:- اقتصاددانانی که روش کلاسیک را به همراه نوآوری ها دنبال کردند و نظر...

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت‌شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...

مواضع جدلی را ارسطو و مشائیان به منزلۀ «اصول مناظره» به کار می گرفتند ولی ابن سینا کارکرد آن ها را به «مغالطات تعریف» دگرگون ساخته است. این یکی از برجسته ترین نوآوری های ابن سیناست که پویایی اندیشه منطقی او و استقلال آن از منطق ارسطو و مشائیان را به خوبی نشان می دهد، با این حال تاکنون مورد توجه قرار نگرفته است. این نوآوری از یک سو با «هدف گرایی منطقی» او، و از سوی دیگر با منطق نگاری دوبخشی اش پ...

دبیرخانه هیات حمایت از کرسی های نظریه پردازی، نقد و مناظره در سال 1382 توسط شورای عالی انقلاب فرهنگی با هدف کمک به بسط آزاد اندیشی و شکل گیری یک حرکت گسترده برای تولید علم و نظریه پردازی از طریق راه اندازی مجامع علمی تحت عنوان کرسی های نظریه پردازی، نقد و مناظره در زمینه علوم انسانی و معارف دینی تاسیس شد. این هیات دارای بیست عضو شامل روسای عالی ترین مراکز علمی- پژوهشی و چند تن از دانشوران برجست...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

برهمکنش های فوق ریز در مکان اورانیوم از ترکیب آنتی فرومغناطیس usb2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) بررسی شده اند. میزان جایگزینی الکترونهای ƒ در این ترکیب مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که الکترونهای 5ƒ تمایل دارند به خوبی با الکترونهای رسانش هیبرید شوند.

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...