نتایج جستجو برای: نیم رساناهای مغناطیسی رقیق بر پایه روی

تعداد نتایج: 554445  

ژورنال: :بلورشناسی و کانی شناسی ایران 0
نسرین صراف - physics department, faculty of sciences, payame noor university (pnu) tehran, iranدانشگاه پیام نور تهران شرق، خیابان 15 متری شیرازی، شهرک حکیمیه(سازمان آب)- تهران احمد حسن پور physics department faculty of sciences, islamic azad university, ahvaz branch, ahvaz, iranگروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهواز، اهواز بلوار پاسداران ، سه راه فرودگاه سید علی هاشمی زاده عقدا - physics department, faculty of sciences, payame noor university (pnu) tehran, iranدانشگاه پیام نور تهران شرق، خیابان 15 متری شیرازی، شهرک حکیمیه(سازمان آب)- تهران احمد آخوند - physics department, faculty of sciences, payame noor university (pnu) tehran, iranدانشگاه پیام نور تهران شرق، خیابان 15 متری شیرازی، شهرک حکیمیه(سازمان آب)- تهران

دراین پژوهش نانو ذرات نیم­رسانای اکسید روی رقیق شده با یون منگنز­ ­­به ­روش سل- ژل خود احتراقی با فرمول کلی zn1-x mnxo (x = 0,0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1) تهیه شد. تک فاز بودن همه­ی نمونه­ها ­و ­اندازه­ی بلورک­ها به کمک پراش پرتو ایکس و رابطه­ی شرر و بیناب فروسرخ فوریه مورد تایید قرار گرفت. اندازه­ی ذرات­­ با میکرسکوپ الکترونی عبوری در حد چندنانومتر براورد شد. بیناب­های فروسرخ نمونه­ها ( ftir) نشا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده علوم پایه 1391

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است . در این پایان نامه، در فصل اول و دوم به طوراجمالی به معرفی خواص عمومی نیمرساناها به خصوص اکسید روی (zno) و نیمرسانای مغناطیسی رقیق بر پایه اکسید روی پرداخته شده است . این ترک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم پایه 1391

در این رساله پس از مقدمه ای مربوط به مواد مغنا طیسی به بررسی مدل آیزینگ توسط روش مونت کارلو پرداخته شده است. روابطی مانند پذیرفتاری مغناطیسی و ظرفیت گرمایی مورد بررسی قرار می گیرد و نمودار مغناطش بر حسب دما و میدان و همچنین حلقه پسماند را محاسبه میکنیم. در ادامه به خاصیت سوپر پارامغناطیس در مواد dms(diluet magnetic semiconductors) میپردازیم که با روش تجربی و بدست آوردن نمودار های ذکر شده نشان م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1389

یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظ...

Journal: : 2023

در این مقاله، به بررسی اثر پارامترهای گوناگون بر شکل تپ‌های گسیلی لیزر 2CO تپی پرداخته شده است. راستا، عوامل مختلفی مانند: فشار گاز و هم‌­چنین طول تشدیدگر تغییر داده شدند هر حالت به‌همراه اندازه انرژی آن‌ها ثبت گردیدند. نتایج نشان می‌­دهد که با افزایش گاز، به‌شدت می‌یابد، به‌گونه‌ای 2 برابر 3 شدن فشار، 5 برابر، پهنای زمانی تپ‌ها نیم یک‌سوم زمان برساخت آن‌­ها نیز 9/0 7/0 اندازه‌های اولیه‌ی خود م...

Journal: : 2022

بخش‌بندی تأمین‌کنندگان، پایه و اساس تصمیمات مدیران زنجیره تأمین با هدف مدیریت توسعه تأمین‌کنندگان است. پژوهش حاضر ارائه رویکردی پویا برای طراحی استراتژی در این به‌دلیل اینکه علاوه بر ویژگی‌های اقلام خرید استراتژی‌ها نقش مهمی دارد، از دومرحله‌ای استفاده شده مرحله نخست، معیارهای مناسب رویکرد پرتفولیو طبقه‌بندی می‌شوند؛ سپس دوم، هر طبقه دو بُعد توانمندی تمایل متناسب بعُد می‌شوند. درنهایت بخش استراتژ...

Journal: : 2023

قدرت تفکیک دستگاه طیف‌نگار جرمی به صورت مستقیم شدت یون خروجی و انرژی آن بستگی دارد. مقدار تولید شده جریان باریکه الکترونی وابسته است. از جمله وظایف مدار کنترل چشمه برخورد تنظیم برای رسیدن بهینه می‌باشد. در ساخت پارامترهایی نظیر تثبیت آن، دقیق پتانسل الکتریکی لنز الکترودهای یونی بسیار حایز اهمیت این مقاله با قابلیت انتشار الکترون، پتانسیل نقاط طراحی ساخته شد. کنترلر بر روی طیف نگار 44Varian MAT ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1391

اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی 1387

چکیده ندارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید