یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظور هستند. از آنجا که درجه قطبش اسپینی ممکن است تحت تاثیر عواملی مانند اثرات سطحی و اثرات مرزمشترک کاهش یابد، لذا مطالعه ی لایه نازک نیم فلز فرومغناطیس بر روی نیم رسانا و مرز مشترک نیم فلز فرومغناطیس با نیم رسانا و بررسی اثرات سطحی و مرز مشترک بر روی خواص مغناطیسی و الکترونی فرومغناطیس از اهمیت ویژه ای برخوردار است. ترکیب cras با داشتن خاصیت نیم فلزی در حالت انبوهه و دمای کوری بالا، ترکیبی است که می تواند منبع مناسبی برای تولید جریان اسپینی باشد. بنابراین ما تصمیم گرفتیم لایه نازک این نیم فلز را برروی نیم رساناهای gaas و inp و همچنین مرز مشترک این نیم فلز با نیم رسانای gaas وalas که به صورت تجربی ساخته شده است را مورد بررسی قرار دهیم. در فصل اول مبانی نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است. فصل دوم به دسته بندی و خواص مواد مغناطیسی می پردازد. در فصل سوم ابتدا به مختصری از تاریخچه علم اسپینترونیک پرداخته و بعد در ادامه به بررسی خواص انبوهه cras در ساختارهای بلندروی و nias پرداخته ایم. فصل چهارم هم به مطالعه خواص لایه نازک و در فصل پنجم هم به مرز مشترک این نیم فلز با نیم رساناهای مورد نظر می پردازد.