هدف این پایان نامه،بررسی خواص ترابری الکترون درنیم رساناهای4h-sic و6h-sic درحد میدان های الکتریکی شدید بااستفاده از روش مونت کارلو می باشد. درمیدان های الکتریکی ضعیف ،تنهاالکترون های واقع دردره مرکزی گامادرترابردالکترون هاسهیم اند وگذارهای بین دره ای وبین نواری وجودندارند.درحالیکه درمیدان های الکتریکی قوی،الکترون های واقع دردره های مجاورنیزدرترابرد الکترون ها نقش دارندوگذارهای بین دره ای وبین ...

این درس نامه درباره نقش برهم کنشهای بس ذره ای الکترون-الکترون در دستگاههای با ابعاد کم و خواص ترابرد آنها است. با مروری بر نظریه تابع توزیع دو ذره ای در دستگاههای الکترونی که اثرات بر همکنشی تا حد امکان دقیق در نظریه لحاظ شود مطلب را پی می گیریم. نظریه را برای دستگاههای مایع الکترونی همبسته قوی در ابعاد دو و یک تعمیم می دهیم. سپس نظریه میکروسکوپی فاکتورهای میدان موضعی را مرور کرده و خواص شبه ذر...

روشی بهینه برای تحلیل شکل قله ایکس پی اس برای شناسایی دقیق نانوساختارهای فلزی درآمیخته با یک ماتریس پلیمری ارائه می شود. در این جا، توزیع عمقی نانوسیم های استوانه ای طلای در آمیخته با پلیمر با جزییات به دست می آید، که در آن تنها از تحلیل یک طیف در گسترة وسیعی از انرژی (حداقل تا 50 الکترون ولت پایین تر از انرژی قله) و کاهش زمینة ایجاد شده در اثر برخوردهای ناکشسان الکترون ها با لحاظ ترابرد الکترو...

روشی بهینه برای تحلیل شکل قله ایکس پی اس برای شناسایی دقیق نانوساختارهای فلزی درآمیخته با یک ماتریس پلیمری ارائه می شود. در این جا، توزیع عمقی نانوسیم های استوانه ای طلای در آمیخته با پلیمر با جزییات به دست می آید، که در آن تنها از تحلیل یک طیف در گستره وسیعی از انرژی (حداقل تا 50 الکترون ولت پایین تر از انرژی قله) و کاهش زمینه ایجاد شده در اثر برخوردهای ناکشسان الکترون ها با لحاظ ترابرد الکترو...

در سال¬های اخیر با پیشرفت علم در ابعاد بسیار کوچک، ترابرد کوانتومی در سیستم¬های مزوسکوپی مورد توجه بسیاری از دانشمندان قرار گرفته¬است. مشاهده¬ی الگوهای تداخل کوانتومی، راه را برای درک و ارزیابی ترابرد الکترونی در این ابعاد باز می-کند. از این رو شاید بررسی اثر وادوسی گامی اساسی برای تحلیل ترابرد در این سیستم¬ها به حساب آید. در نگاه اول این¬طور به نظر می¬رسد که وادوسی تأثیری منفی بر روی ترابرد ال...

چکیده ندارد.

هسته های سنگین به علت ناپایداری به صورت های مختلف تشعشع می کند، که اثرات سوء این پرتوها برای سلامتی انسان کاملا مشخص شده است. لذا آشکارسازی این پرتوها اهمیت زیادی دارد. gaas یک آشکارساز نیمرسانا می باشد، که مطالعه و بررسی آن اهمیت دارد.پس از انتخاب مناسب آشکارسازدر یک حوزه کاربردی، نوبت حفاظت این بلورها در مقابل اثرات زیان بار و مخرب این تابش ها می باشد. تا با توجه به مراحل و مشکلات مربوط به رش...

فرآیند رشد و تولید سطوح و فصول مشترک با شکل و خواص متفاوت، به دلیل کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی از موضوعات مورد توجه در کارهای نظری و تجربی به شمار می¬رود. به همین دلیل در رساله¬ی حاضر به دو مبحث پراخته می¬شود که ارتباطی بسیار نزدیک دارند. مبحث اول به رشد سطوح با استفاده از توابع همبستگی خاص و روش¬های نشست استاندارد اختصاص دارد. تمامی سطوح تولید شده در این روش¬ها ناهموار بوده و ریخت شناسی آن...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

بررسی ترابرد الکترون ها در بلور ها و قطعات نیمرسانا در حضور میدان های الکتریکی قوی همواره یکی از موضاعات مورد توجه محققان و صنعت بوده است. در این پایان نامه خواص ترابرد الکترون ها در ترکیبات نیمرسانای کپه ای iii-v در دو حالت پایدار و ناپایدار با استفاده از روش شبیه سازی مونت کارلو محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است.