مقدمه و اهداف مواجهه با نویز بلند می تواند منجر به تشکیل رادیکال های آزاد گردد. افزایش تولید رادیکال های آزاد نقش مهمی در ایجاد کم شنوایی ناشی از نویز دارد. مواد و روش ها پس از جستجو در مقالاتی که از سال 2000 تاکنون در زمینه ی آنتی اکسیدان ها و کم شنوایی ناشی از نویز منتشر گردیده است، 73 مقاله ی مرتبط از google scholar-proquest-pubmed-sciencedirect یافت شد و 24 مقاله بر گزیده شد. یافته ها آنتی ...

تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع با...

با توجه به مزایا و ویژگی های سیستم های باند فوق پهن، استفاده از این سیستم ها در گیرنده های بیسیم در طی سال های اخیر به شدت گسترش یافته است. از مهم ترین ویژگی های سیستم های فوق می توان به سرعت بالای ارسال اطلاعات، مقاومت در برابر چند مسیره شدن سیگنال و توان مصرفیِ اندک آن اشاره نمود. در این پایان نامه مطالعه ای بروی سیستم های باند فوق پهن صورت گرفته است و نهایتا دو ساختار جدید برای پیاده سازی تقو...

در این پایان نامه، جزئیات طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن ، در فناوری mcmosµ 18/0 مورد بررسی قرار می گیرد. در مدار ارائه شده ، با استفاده از ساختار گیت مشترک تطبیق امپدانس در پهنای باندghz6/10 -9/3 انجام شده است. با به کارگیری روش استفاده مجدد از جریان تقویت کننده بهره توان بالایی در حدود db18 و عدد نویز در حدود db7/3-4/2 ضریب انعکاس ورودی و خروجی(s11وs22 )به ترتیب کمتر از 10- و 5- به دست...

در این گزارش روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می شود. درحالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، iip3 بهبود می یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می توان با استفاده از فیلتر lc و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست ...

در این پایاننامهطراحی، شبیه سازی و ساخت بلوک کم نویز در باند x ارائه شده است. تا آنجا که امکان داشته زیر بلوک های مختلف آن طراحی و شبیه سازی و زیربلوک هایی نیز بصورت مدار مجتمع بکار رفته است.در ابتدا گیرنده های متداول مورد بحث قرار گرفته و مزایا و معایب هر کدام مطرح و سپس بلوک دیاگرام گیرنده (lnb) مورد نظر به همراه شبیه سازی بودجه لینک آن ارائه شده است.

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...

تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خراب...

تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می نماید. یکی از اجزای غیرقابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را ت...

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...