افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

هدف از این تحقیق تصفیه و حذف اکسیدهای نیتروژن در راکتور پلاسما در شرایط اتمسفریک و غیر حرارتی است. این فن  آوری علاوه بر قابلیت کاهش مصرف انرژی در فرایند حذف آلاینده ها، دارای انعطاف پذیری ویژه در تصفیه و تقلیل آلاینده های فرعی به طور هم زمان است. در این تحقیق به منظور  تبدیل موثر اکسید های نیتروژن(nox)، از فرایند پلاسمای نوع تخلیه با مانع دی الکتریک[1](dbd) استفاده شده است. در اثر برخورد الکتر...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

در این مقاله سنتز پودر pb(zr0.95ti0.05)o3 با دو روش حالت جامد (اکسید مخلوط) و سل- ژل مورد بررسی قرار گرفته است. در روش حالت جامد از اکسیدهای فلزی و در روش سل ژل از نمک ها و ترکیبات آلی استفاده شد. دمای کلسینه مورد استفاده در روش سل ژل و حالت جامد به ترتیب 700 و 950 درجه سانتی گراد می باشد. پودرهای حاصل به وسیله روش های آنالیز تبدیل فوریه مادون قرمز و پراش پرتوی ایکس مشخصه یابی شدند. اندازه ذرات...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزما...