نتایج جستجو برای: finfet تمام گیت دو فلزی

تعداد نتایج: 306128  

Journal: : 2022

هدف: هدف این پژوهش مقایسه اثربخشی امیددرمانی و معنویت درمانی بر کیفیت زندگی، قند خون فشار زنان میانسال مبتلا به دیابت نوع دو بود. روش: حاضر نیمه آزمایشی با طرح پیش آزمون- پس پیگیری گروه گواه جامعه آماری شامل تمام 2 مراجعه کننده مرکز تحقیقات دیابت، متابولیسم غدد شهر تهران در سال 1399 بودند که ‏45 نفر شیوه نمونه‌گیری دسترس انتخاب صورت تصادفی آزمایش یک (هر 15 نفر) قرار گرفتند. ابزار پرسشنامه کوتاه...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
علی بهاری امیر حیاتی

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1389

در این رساله به طراحی، تحلیل، و شبیه سازی سوئیچ های نانوفوتونیک مبتنی بر برهمکنش میدان نزدیک نوری پرداخته ایم. دراینگونه افزاره ها، نقش انتقال بین نقاط کوانتومی برعهده برهمکنش اکسیتون با میدان نزدیک نوری است. ایفاگر نقش انتقال بین حالت های کوانتومی درون یک نقطه برهمکنش اکسیتون با حمام فونونی است. در این رساله، قدرت تزویج میدان نزدیک نوری بین دو نقطه کوانتومی محاسبه شده است. همچنین، برای محاسبه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1394

: یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند. تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره می توانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار hsp...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

Journal: : 2023

تصویربرداری مقطع‌نگاری نوترونی یکی از کاربردهای مدرن رآکتورهای تحقیقاتی در سرتاسر جهان به‌شمار می‌رود. تلفیق قابلیت نمایش سه‌بعدی با ویژگی‌های منحصر به فرد برهم‌کنش نوترون مواد، می‌تواند اطلاعات بسیار ارزشمندی ساختار داخلی مواد و تجهیزات را اختیار محققین قرار ‌دهد. این تحقیق، تأثیر هندسه داده‌برداری تجربی روش بازسازی تصویر بر کیفیت تصاویر سامانه رآکتور تهران براساس شاخص وضوح میزان تولید نویز مو...

Journal: : 2023

تمام ترکیبات اورانیم، سمی و رادیواکتیو هستند. بودن این عنصر می‌تواند کشنده باشد. با توجه به سمیت شیمیایی رادیواکتیویته ضروری است از ورود آن طبیعت جلوگیری شود. پسماندهای خروجی مراکز صنعتی- هسته­ای نیز دارای مقادیر مختلفی اورانیم می­باشد لذا حذف پساب اهمیت ویژه­ای برخوردار است. سویی دیگر، نظر محدودیت منابع آن، بازیابی پسماندها، ارزش اقتصادی می­باشد. در پژوهش حاضر، روش سطح پاسخ (RSM) بر اساس طرح م...

2015
Jianping Hu Yuejie Zhang Chenghao Han Weiqiang Zhang

Abstract: Scaling supply voltage of FinFET circuits is an efficient method to achieve low power dissipation. Superthreshold FinFET logic circuits can attain low power consumption with favorable performance, because FinFET devices operating on medium strong inversion regions can provide better drive strength than conventional CMOS transistors. The supply voltage of the super-threshold circuit is...

Journal: :IEICE Transactions 2015
Tatsuya Ohguro Satoshi Inaba Akio Kaneko Kimitoshi Okano

In this paper, we discuss the process, layout and device technologies of FinFET to obtain high RF and analog/mixed-signal performance circuits. The fin patterning due to Side-wall transfer (SWT) technique is useful to not only fabricate narrow fin line but also suppress the fin width variation comparing with ArF and EB lithography. The H2 annealing after Si etching is useful for not only to imp...

2004
Kidong Kim Ohseob Kwon Jihyun Seo Taeyoung Won

A two-dimensional quantum mechanical modeling has been performed to simulate a nano-scale FinFET by obtaining the self-consistent solution of coupled Poisson and Schrödinger equations. Calculated current-voltage (IV) curves are carefully compared with experimental data to verify the validity of our theoretical work. The transconductance (Gmmax=380) is optimized through varying the Si-fin thickn...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید