در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

بیان ژن، پدیدهای حیاتی در سایر موجودات زنده میباشد. ارزیابی این پدیده میتواند در سه سطح کلی ترنسکریپتومیکس، پروتئومیکس و متابولومیکس انجام گیرد. از ارزشمندترین روشها در سطح ترنسکریتومیکس، تکنولوژی ریزآرایهها بوده که قادرند بیان دهها هزار ژن را بطور همزمان اندازهگیری کنند. اما آزمایشات ریزآرایه، از ابتدا تا انتها، در معرض تغییرات ناخواسته ای بوده که ناشی از بایاسها یا ناهماهنگیهای آزمایشگاهی و ت...

هنگامی‌که قطعات الکترونیکی در معرض تابش نوترون قرار می‌گیرند بر اثر اندرکنش‌های نوترون در این قطعات، مشخصات الکتریکی آنها مانند ظرفیت خازنی، جریان بایاس معکوس، طول عمر حامل اقلیت و غیره ... تغییر می‌کنند. این تغییرات بسیار مهم است تا آنجا که ممکن است عملکرد قطعه را مختل کرده و آن را از کار بیندازد. بنابراین اندازه‌گیری میزان آسیب ناشی از نوترون در این قطعات بسیار ضروری است. یکی از مهم‌ترین پارا...

در این مقاله دینامیک امواج خروشان در یک لیزر نیمه هادی تزریق نوری در حضور نویز محیطی با دو تابع توزیع گاوسی و یکنواخت مطالعه شده است. بدین منظور معادلات آهنگ لیزر به صورت عددی حل و شدت دامنه‌ی میدان بر حسب زمان محاسبه شده است. همچنین برای این توابع توزیع، نمودار تعداد امواج خروشان بر حسب دامنه‌ی نویز در مقادیر مختلف جریان و فرکانس عدم تطبیق محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می­دهد ...

این پژوهش به بررسی سازوکار ضربه با بهره‌گیری از ویژگی انقباض سریع یک سیم آلیاژ حافظه‌دار به‌عنوان یک محرکة جدید می‌پردازد. در این مقاله یک محرکة‌‌ نمونه، شامل بدنة اصلی، بدنة اینرسی، یک سیم آلیاژ حافظه‌دار و یک فنر بایاس، طراحی و ساخته شده است. به‌منظور بررسی کاربرد این محرکه‌‌ به‌عنوان دستگاه موقعیت‌دهی، آزمایش‌هایی تحت شرایط مختلف روی آن انجام شده است. نتایج آزمایشات نشان می‌دهد که این محرکه‌...

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ MEMS که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از ...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...

امروزه ادوات الکترونیکی از قبیل سلف، خازن، سوییچ، آنتن و مدار تشدید (رزوناتور) با استفاده از تکنولوژی mems ساخته میشوند. مدار تشدید (رزوناتور) عنصر کلیدی برای ساخت انواع فیلترها، میکسرها و اسیلاتورها میباشد. از مزایای رزوناتور ممزی خازنی (الکترواستاتیک) مصرف توان بسیار کم، تغییرات ناچیز خروجی در شرایط محیطی و دمایی مختلف و عدم حساسیت به نویز الکتریکی میباشد. در این ساختار رزوناتور و الکترود ر...

هدف از اجرای این پروژه طراحی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 4.4ghz تا 5ghz در کلاس f و با سطح سیگنال ورودی 22dbm وتوان خروجی 1wو کارآییpae بیشتر از 35% می باشد . این تقویت کننده توان با المانهای ریز نوار و با استفاده از ترانزیستور fpd3000 ساخت کارخانه filtronic طراحی گردیده است . در طراحی این تقویت کننده توان از روش آنالیز load pull و source pull برای بدست آوردن امپدانس بهینه ورودی وخروجی ت...