چکیده ندارد.

در پایان نامه حاضر، به بررسی و مطالعه ی اثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای غیرمغناطیسی و مغناطیسی در رژیم همدوس می پردازیم. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم موثر و در تعیین مغناطش قطعات نیمرسانای مغناطیسی در اتصالات، از تقریب میدان متوسط استفاده شده است. برای توصیفی نزدیک تر به واقعیت از ترابرد الکتریکی در نانوساختارها، ناهمواری ها در فص...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...

In this study, we investigated the electronic conductance of two typical single-wall nanotubes with square lattice by using Green’s function method in tight-binding approximation. Then the effect of various factors such as presence of symmetrical bond defects, the distance between two defects and the nanotube hopping energies was studied on the system electronic conductance. The square and rhom...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...

dna دو رشته ای و مشتق آن dna چهار رشته‎ای (g4-dna) در دهه‎های اخیر توجهات بسیاری از دانشمندان علوم مختلف را به خود جلب کرده‎اند و به عنوان یکی از اجزای تشکیل دهنده الکترونیک مولکولی مورد توجه قرار گرفته‎اند. کارهای زیادی برروی بررسی خواص ترابرد این مولکول انجام گرفته است. در مقایسه با dna دورشته‎ای، g4-dna دارای خواص منحصر به فردی می‎باشد که دانشمندان بر این باور هستند که گزینه بسیار مناسب‎تری ...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

در تمامی محاسبات ساختار الکترونی که تا کنون بر روی ترکیبات مختلف با استفاده از بسته ی محاسباتی wien2k انجام شده است، توابع بلوخ به کار گرفته شده اند. در این بسته ی محاسباتی، دسته معادلات تک ذره ی کوهن–شم به روش امواج تخت بهبودیافته ی خطی باپتانسیل کامل حل می شوند. توابع بلوخ به دست آمده، اگرچه توصیف جالبی از رفتار بلور در فضای اندازه حرکت ارایه می کنند و به همین دلیل به طور گسترده به کار برده م...

در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

در این پژوهش ترابرد الکترونی در سامانه های فلز/فولرین(c60)/فلز و فلز/آزافولرین(c59n)/فلز به طور نظری و در چارچوب مدل مورد مطالعه و بررسی قرار می دهیم. در این مدل از الکترودهای فلزی یک بعدی نیم بی نهایت و از مولکول های c60 وc59n به عنوان پل های مولکولی بین دو الکترود فلزی استفاده می کنیم. محاسبات حالات الکترونی براساس مدل هامیلتونی بستگی قوی و نظریه تابع گرین تعمیم یافته وترابرد الکترونی مبتنی ب...