برخی نتایج از قبیل تونل زنی، جریان نشتی و نفوذ اتم از میان گیت دی الکتریک فیلم فرا نازک sio2 را بعنوان یک دی الکتریک خوب برای صنعت آینده و وسایل الکترونیکی در تکنولوژی سرامیک تهدید می کند . یک سری از آزمایشات سنتز اکسید هافنیوم در دمای پایین به روش سل-ژل انجام شد. ویژگی های نانو ساختاری اکسید هافنیوم با اندازه بلورک 5 تا 40 نانومتر بررسی شد.نتایج بدست آمده نشان داد که پتانسیل اکسید هافنیوم نه ت...

بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شده در حالت های مختلف است

مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص pb(zrti)o3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عملگرها ، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را سرب تشکیل می دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاش های فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این پژوهش سرامیک نایوبات پتاسیم-سدیم (knn) به عنوان مهمترین خا...

ا امروزه یکیاز اهداف اصلی صنایع تولیدکننده آنزیم ها،پایدارسازی این ملکول ها بدون کاهشفعالیتآن هااست. اسمولیت های پایدارکننده نوعی افزودنی است که کاربرد گسترده درافزایش پایداری آنزیم هادارد وبدونایجاد تغییرات مخرب در ساختمان آنزیم، سبب افزایش پایداری آن می شود. تاکنون پژوهشات زیادی برای بررسی سازوکار اسمولیت ها انجام شده است ولی جزئیات سازوکار آن ها هنوز مشخص نشده است.در این پژوهش اثرهم زمان دو ...

ازجمله خرابی های که اغلب در روسازیهای آسفالتی مشاهده می گردد، خرابی هایی است که ناشی از رطوبت بوده یا توسطرطوبت تشدید شده اند. که عریان شدگی یکی از مهمترین آنهاست. اما از آنجا که منشا بروز پدیده عریان شدگی ازحساسیت رطوبتی بوده و موجب ایجاد خرابی های زودرس و صرف هزینه های بالای تعمیر و نگهداری می شود.تشخیصمناطق عریان در اثر رطوبت از اهمیت بالایی برخوردار است از متداولترین روشها...

امروزه نانوساختار تیتانات باریم-استرانسیم به دلیل خواص فروالکتریک و ثابت دی الکتریک بالا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز نانو پودر های دی الکتریک تیتانات باریم استرانسیم به روش سل- ژل می باشد. بدین منظور دو ترکیب مختلف ba0.7sr0.3tio3 وba0.5sr0.5tio3 از تیتانات باریم استرانسیم با استفاده از مواد اولیه، استات باریم، استات استرانسیم، ایزوپروپوکسید تیتانیم، استیل ا...

یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...

هدف: پژوهش حاضر عناصر درگاه‌های دانش، در درگاه‌های دانشگاهی خارجی را ارزیابی و برای طراحی درگاه‌های دانشگاهیِ دانش‌مدار الگویی ارائه کرده است. روش/ رویکرد پژوهش: با استفاده از سیاهه ارزیابی محقق‌ساخته (شامل 33 عنصر درگاه دانش)، 19 درگاه بررسی شده است. یافته‌ها: از 19 درگاه دانشگاهی مورد مطالعه، درگاه دانشگاه ادینبورگ دارای 21 عنصر؛ آتاباسکا و بوفالو دارای 20 عنصر؛ لازال، راتگرز، و تکنولوژی ویر...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

با توجه به کاربرد وسیع شناساگر های مواد و همچنین با توجه به تفاوت خصوصیات دی الکتریک مواد، در این تحقیق به بررسی خصوصیات ثابت دی الکتریک و روشهای استاندارد اندازه گیری آن برای جامدات و مایعات و به صورت خاص گازها پرداختیم. در مورد جامدات و مایعات روشهای کاربردی زیادی وجود دارند که با دقت بسیار بالا ثابت دی الکتریک را اندازه گیری می کنند اما از آنجاکه گازهای مخلوط در هوا و بسیاری بخارات دیگر گازی...