پیشرفت های اخیر در تکنولوژی بی سیم و افزیش تقاضای پویایی و انعطاف پذیری سیستم های مخابراتی برای کاربران، منجر به تحقیقات وسیعی به منظور کوچک سازی ساختار آنتن های مسطح بدون کاهش در عملکردشان شده است. یکی از روش ها به منظور دستیابی به کاهش ابعاد مدارهای مسطح مانند آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده از هندسه فراکتال است. مفهوم هندسه فراکتال به سبب ساختار فضاپرکنی و خودمشابه اش می تواند در کاهش اندازه...

در مبدل‌های سوئیچینگ قدرت به خاطر تغییرات سریع ولتاژ و جریان، تداخل الکترومغناطیسی (EMI) ایجاد می‌شود. از جمله توپولوژیهای پرکاربرد سوئیچینگ در منابع تغذیه توان پایین و متوسط، مبدل سوئیچینگ فوروارد است که در آن نیاز به بازنشانی ترانسفورمر است. در این مقاله، برای پیش‌بینی سطح EMI هدایتی، ابتدا یک مبدل فوروارد با سیم‌پیچ بازنشاننده مدل‌سازی می‌شود. جهت ارزیابی نتایج مدل‌سازی، نتایج عملی اندازه‌گی...

زمینه و هدف: رگزایی در بسیاری از فرایندهای حیاتی نقش دارد همچنین بسیاری از فرآیند های رشد و نموی تحت تأثیر میدان الکترومغناطیسی قرار می گیرند. در مطالعه حاضراثرکاربرد  توام نانو ذرات نقره زیستی و میدان الکترومغناطیسی با فرکانس پایین بر آنژیوژنز در پرده کوریوآلانتوئیک جنین جوجه بررسی شد.  مواد و روش کار: در این پژوهش تجربی آزمایشگاهی تخم مرغهای نطفه دار در روز هشتم انکوباسیون، با غلظتهای 50 , 10...

شکل دهی الکترومغناطیس یکی از روش های شکل دهی پرسرعت است. در این روش شکل دهی، از نیروی الکترومغناطیسی لورنتس جهت شکل دهی قطعات استفاده می شود. اتصال قطعات با استفاده از این فرایند یک روش نوین برای مونتاژ قطعات با هدایت الکتریکی بالا می باشد. ارزیابی فرایند شکل دهی بید به سمت داخل به منظور اطمینان از کیفیت و استحکام اتصالات تولید شده با این روش بسیار مهم است. در این نوشتار ابتدا فرایند به صورت شب...

مسیریابی بهینه هادی های انتقال در یک محفظه شامل تجهیزات الکتریکی و الکترونیکی در راستای کارکرد صحیح و بدون اختلال سیستم به عنوان یک مبحث پیچیده مطرح است. میدان های تداخلی ناشی از جریان های بالای برخی از تجهیزات درون محفظه و عملیات کلیدزنی، ولتاژ هادی های انتقال را می تواند تحت تأثیر قرار دهد. این ناسازگاری الکترومغناطیسی عملکرد نادرست ادوات فرمان و اندازه گیری را به دنبال خواهد داشت. در حالت مع...

بمب های الکترومغناطیسی از یک پالس الکترومغناطیسی قوی برای تخریب هدف استفاده می کنند. موقع استفاده از چنین بمب هایی، به دلیل به وجود آمدن شار مغناطیسی قوی، جریان زیادی در خطوط انتقال ظاهر می شود که برای تجهیزات مختلف الکتریکی و الکترونیکی می تواند مخرب باشد. در این مقاله الگوریتمی جدید معرفی می شود تا ضمن حفظ انسجام شبکه الکتریکی، از بروز نقص در تجهیزات الکتریکی نظامی در طی بمباران الکترومغناطیس...

در این پایان نامه خواص اپتیکی سیستم پنج ترازی دوگانه یlambda بررسی شده و نشان داده شده است که خواص جذب القایی الکترومغناطیسی،شفافیت القایی الکترومغناطیسی، دوپایایی، چندپایایی و ... توسط پارامترهای کنترلی مختلف موجود در سیستم، از جمله شدت میدان های دمشی و فرکانس آنها قابل کنترل است. وقتی فقط یکی از میدان های دمشی در سیستم حضور دارد پدیده ی eit اتفاق می افتد، در حضور دو میدان دمشی پدیده ی eitبه e...