ماهواره‌ها هنگام قرارگرفتن در مسیر مدار، متحمل بارهای ارتعاشی ماهواره‌بر، مخصوصاً در جهت طولی می‌شوند. به‌رغم جداسازی ارتعاشات کل ماهواره از بارهای دینامیکی در فصل مشترک بین ماهواره و ماهواره‌بر، همچنان بارهای ارتعاشی مخرب که بتوانند بر روی عملکرد تجهیزات حساس ماهواره‌ها اثرکنند، به سازة ماهواره منتقل می‌شود که این مسئله اهمیت نیاز به سیستم جداسازی ارتعاشی تجهیزات حساس را روشن می‌سازد. در این مق...

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف تنش شوری انجام پذیرفت. این آزمایش به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی در 4 تکرار در آزمایشگاه گیاهشناسی دانشگاه یزد انجام...

امروزه تخمین زده می شود که در حدود 65 درصد از پودر تنگستن مصرفی در جهان به تولید قطعات از جنس کاربید تنگستن اختصاص دارد. یکی از اجزای مهم در کاربید تنگستن سمانته ، کبالت است . کامپوزیت های کاربید تنگستن سمانته ، عبارت از توزیع ذرات تنگستن با اندازه میکروبی در فاز بایندر کبالت می باشند که بوسیله فرآیند سینترینگ فاز مایع تهیه می شوند. تخمین زده می شود که 35 درصد از قراضه های کاربیدی سمانته بکار م...

سرامیک های دی بورید زیرکونیم، کامپوزیت های تقویت شده با کاربید سیلیسیم و همچنین به همراه افزودنی نانو کربن در دماها، زمان ها و فشارهای گوناگون با فرآیند پرس گرم ساخته شدند. ساخت سرامیک دی بورید زیرکونیم چگال حتی در دمای 2000 درجه سانتی گراد شدنی نیست، زیرا وجود ناخالصی های اکسیدی موجب رشد افراطی دانه ها و بروز اخلال در زدایش تخلخل ها می شوند. افزودن کاربید سیلیسیم و اختلاط مناسب مواد اولیه، نقش...

تنش¬های زیستی و غیر زیستی از عوامل بسیار مهم در کاهش محصولات کشاورزی هستند. سیلیکون به عنوان دومین عنصر فراوان در پوسته زمین است. این عنصر به دلیل آن که نقش اساسی در زنده مانی گیاه ندارد جزو عناصر ضروری برای رشد گیاه قرار نگرفته است. در این پژوهش تأثیر سیلیکون بر روی چهار رقم انگور (پرلت، فلم، میش¬پستان و صاحبی) در دو مرحله رشد، تحت شرایط تنش خشکی با سه تیمار (شاهد، خشکی + سیلیکون و خشکی) در سه...

سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

در این تحقیق، مراحل تهیه و توزیع ابزارهای برشی پایه کاربید تنگستن (wc) و بایندر نیکل (ni) با استفاده از تکنیکهای متالوژی پودر، تشریح شده است . در ساخت این نمونه ها از فرآیند shs کمک گرفته شد. عملیات انجام فرآیند shs برای ساخت کاربید تنگستن (wc) از پودرهای تنگستن (w) و کربن (c) را با تکنیک زینترینگ در حضور فاز مایع ادغام کرده و مدلی جدید از فرآیند shs برای قطعه سازی ارائه شد. با کمال تعجب باید گ...

نانوکامپوزیت های زمینه آلومینیومی در سال های اخیر به دلیل چگالی کم، استحکام بالا، مقاومت به خزش بالا و پایداری حرارتی مناسب، گسترش چشمگیری داشته اند. در تحقیق حاضر ابتدا مخلوط پودر آلومینیوم خالص و کاربید بور با اندازه نانومتری برای تهیه نانو کامپوزیت al/b4c و مخلوط پودری آلومینیوم خالص و کاربید بور با اندازه میکرونی برای تهیه کامپوزیت al/b4c، در مدت زمان های 5، 10، 15 و 20 ساعت آسیای مکانیکی ش...