با پیشرفت تکنولوژی در دهه های اخیر و افزایش اهمیت مدارهای آنالوگ در سیستم های فرستنده-گیرنده مخابراتی، توجه بسیاری از محققین به طراحی سیستم های آنالوگ جلب شده است. امروزه کاربردهای پیشرفته ای برای فرستنده-گیرنده های مخابراتی تعریف شده است که این کاربردها زمینه های تحقیقاتی جدیدی را در دنیا به وجود آورده است. از جمله این کاربردها می توان به شبکه حسگرهای بی سیم و سیستم های شناسه گر فرکانس رادیویی...

در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

یکی از مهمترین پارامترهای نوسان ساز ها، نویز فاز می باشد. نویز فاز نوسان ساز در میکسر سبب تداخل باندهای فرکانسی داده های ورودی می شود. نویز فاز را در سیستم های دیجیتال جیتر نیز می گویند. در واقع جیتر معادل حوزه زمانی نویز فاز می باشد. جیتر در سیستم های دیجیتال سبب می شود که داده ها در لحظه صحیحی از زمان نمونه برداری نشوند. بنابراین شناخت نویز فاز و مدل سازی ریاضی آن از اهمیت ویژه ای برخوردار اس...

با توجه به افزایش چشمگیر حجم داده‌های پردازشی و نیاز به سرعت بیشتر در پردازش آنها، به استفاده از روش‌های نوین در طراحی مدارهای دیجیتال توجه شده است. نظر به اهمیت مصرف توان در وسایل الکترونیکی، طراحی مدارهایی ضروری است که به کاهش مصرف توان، مساحت و نیز افزایش سرعت پردازنده‌ها منجر شود. استفاده از محاسبات تقریبی در کنار ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی، یکی از روش‌های مطرح‌شده در این حوزه است. با توج...

با استفاده از روش سل ژل و بررسی xrdنتایج زیر بدست آمد: ? از این مقایسه و مقایسه نمونه های سری ششم و هفتم و دهم، نتیجه می گیریم که اگرچه وجود اتانول در نمونه هنگام بازپخت شدت را افزایش داده که بیانگر بلوری شدن بیشتراست اما باعث افزایش اندازه ذره شده است که مطلوب ما نیست. درمورد استن و آب نظر قطعی نمی توان داد چون نمونه های دیگری از این دست نداریم. ? زمان خشک کردن نمونه سری اول بیشتر بقیه بود...