نتایج جستجو برای: ساختار گاف
تعداد نتایج: 59868 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش همرسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...
در این مقاله عملکرد سلولهای خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal میباشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدلهای مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیهسازی شد. تاثیر پارا...
پس از مطالعه معماری c60 به منظور بدست آوردن موقعیتهای کربن در یاخته واحد fcc در دمای اتاق، محاسبات خودسازگار را با استفاده از کد محاسباتی wien2k بر پایه نظریه تابعی چگالی و پتانسیل کامل با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته با اوربیتالهای موضعی برای الکترونهای ظرفیت و شبه مغزه (apw+lo) انجام داده ایم. برای واهلش اتمهای کربن در ساختار بلوری، محاسبه طول پیوندها، انرژی همدوسی حالت جامد fcc-c60 ، ...
در این مقاله به تحلیل میدان در فیبر براگ بلورفوتونی با هسته تو خالی پرداخته می شود. برای تحلیل خواص جالب انتشاری مدهای te و tm در این نوع فیبربراگ از روش ماتریس انتقال کل استفاده شده که میدان هسته را به میدان آخرین لایه پیوسته ارتباط می دهد. با رسم نمودار β/k (عدد موج طولی به عدد موج کل) برای مدهای انتشاری برحسب λ (طول موج پرتو ورودی به فیبر) نمودار پاشندگی موجبر این ساختار مشخص می شود. همچنین ...
در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...
در این تحقیق میکرو و نانوساختارهای ZnO بر روی زیرلایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هستهبندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (Eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکسهای میکروسکوپ...
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...
در این مقاله، خواص الکترونی گرافین در حضور وغیاب ناخالصیهای نیکل و طلا با استفاده از روش نظریه تابعی چگالی بررسی میشود. در تمامی موارد با استفاده از نتایج به دست آمده ساختار الکترونی، چگالی حالتها، پایداری، گاف انرژی و گشتاور مغناطیسی مطالعه شده است. محاسبات ما با استفاده از نرم افزار SIESTA انجام شده و از تقریبهای GGA و LDA برای پتانسیل تبادلی- همبستگی استفاده شده است. با افزایش اندازهی م...
در این مقاله ابتدا فرایند تهیه نقطه های کوانتومی (نانو بلورکهای) سولفور سرب (pbs) که به روش کلوییدی تهیه شده اند را مطرح می نماییم. سپس موضوع تغییر ساختار الکترونی این ذرات در اثر کاهش ابعاد نسبت به ماده توده ای (پدیده تحدید کوانتومی حاملهای بار) از طریق مطالعه طیف جذبی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیفهای جذبی این ذرات نشان می دهد که انتقال طول موج جذب به سمت آبی (طول موجهای کوتاهتر و...
در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم درسرامیک درفاز تتراگونال محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید