یکی از ماسفتهایی که امروزه توجه زیادی را به خود جلب کرده است ، ماسفت سیلیکون بر روی عایق می باشد. علاوه بر کاربرد چشمگیر ماسفتهای سیلیکون بر روی عایق در زمینه دیجیتال، باید به استفاده وسیع آنها در زمینه ی سیستمهای آنالوگ فرکانس بالا نیز توجه داشت. با این وجود ماسفت سیلیکون بر روی عایق با اتصال بدنه امروزه توجه بسیاری از طراحان را به خود جلب کرده است، اما یکی از مشکلات اینگونه ماسفتها وجود یک ...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

با توجه به توسعه روز افزون صنایع گوناگون، اهمیت صرفه جویی در مصرف انرژی و ایمنی در کار، لزوم استفاده از مواد عایق و محافظ در برابر حرارت برکسی پوشیده نیست. از دیر باز مواد سرامیکی به عنوان عایق و مواد مقاوم در برابر حرارت کاملاً شناخته شده می باشند. هدف اصلی از این پروژه کاهش میزان انتقال حرارت منسوجات به کمک آغشته نمودن منسوجات با پودر مواد سرامیکی می باشد. در این پروژه با فرو بردن منسوج در محل...

در این مقاله اثر اضافه شدن مقدار کم پلاتین به پوشش های سیلیسیم-آلومیناید دوغابی حاوی سیلیسیم کمتر از مقدار لازم برای ایجاد حفاظت کامل در این پوشش ها بررسی شده است. ضمن بررسی ریزساختار پوشش های حاصل، نقش پلاتین بر رفتار خوردگی داغ نوع II پوشش ها نیز مورد بحث قرار گرفته است. برای ایجاد پوشش های سیلیسیم و (پلاتین، سیلیسیم)-آلومیناید از روش سیلیکوآلومینایزنیگ دوغابی بر روی نمونه های از جنس سوپر آلی...

ب به منظور بررسی تاثیر محلول پاشی دو عنصر روی و سیلسیم بر برخی صفات کمی و کیفی بالنگوی شهری (توده محلی ارومیه)، آزمایشی به صورت کرت­های خرد شده بر پایه بلوک­های کامل تصادفی با سه تکرار در سال زراعی 96-1395 در مزرعه تحقیقاتی دانشگاه ارومیه انجام شد. دو محیط دیم و آبیاری‌تکمیلی به­عنوان عامل اصلی و محلول­پاشی عناصر روی، سیلیسیم و عدم مصرف محلول (شاهد) به­عنوان عامل فرعی در نظر گرفته شدند. ا...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

در این تحقیق اثر محتوای رطوبتی بر روی پارامترهای عامل کاهیدگی و تأخیر زمانی برای دیوار بدون عایق و دیوار عایقکاری شده بررسی شد. نتایج نشان داد که درصد رطوبت مصالح ساختمانی تأثیر چشمگیری بر رفتار حرارتی جداره دارد. ضخامت بهینه عایق حرارتی جداره برای سه حالت، عایق داخلی، عایق میانی و عایق خارجی تحت شرایط رطوبتی مختلف محاسبه گردید. بررسی¬ها نشان داد که ناچیز فرض نمودن اثرات رطوبت می¬تواند خطای چشم...

در این مقاله نمونه های مختلفی از سیلیسیم نوع p به روش آنودی سازی الکتروشیمیایی در محلول اسید فلوریدریک (hf) متخلخل شد. معلوم گردید که بسته به مقدار غلظت hf چگالی جریان آنودی سازی و زمان سونش میزان متخلخل برروی سیلیسیم متفاوت بود. سپس یک اتصال اهمی آلومینیوم بر روی یک طرف سیلیسیم نوع p (طرف غیرمتخلخل) و یک اتصال از طلا بر روی طرف متخلخل آن ساخته شد. این نمونه ها به عنوان یک حس گر مورد استفاده قر...