در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

چکیده ندارد.

یده ?? چ مانند ?? فضای خارج قسمت ?? صورت ی ?? توان به ???? دانیم که هر رویه ریمان را م ???? سازی م ?? نواخت ?? از قضیه ی زیر گروه گسسته ?? بوده و h یا فضای هذلولوی ? c ?? ، فضای اقلیدس s کره ? s~ که در آن ?? طوری ?? نوشتبه s~=?? دانیم که هر رویه ریمان فشرده ???? کند همچنین م ???? را القا م : s~ ??! s~=?? است که پوشش isom +(s~) از h که روی ? ?? است. برای هر گروه h?=?? صورت ?? به ?? تر از ? س...

حسگرهای فرابنفش برای تشخیص تابش فرابنفش در محیطی که اشعه خورشید حضور دارد، کاملاً ضروری هستند. علاوه بر این، چنین حسگرهایی در پزشکی برای ضد عفونی کردن و تشخیص میکروب ها و قارچ ها، در زیست شناسی برای تشخیص سوراخ های لایه ازون و در نورسنجی و طیف سنجی مورد استفاده قرار می گیرند. همچنین، برای ساختن ابزار آلات نظامی جهت ردیابی موشک ها و در بسیاری دیگر از زمینه های علوم و مهندسی، اینگونه آشکارسا...

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا...

در این پایان نامه, زیرمدول های شبه اولیه کلاسیک معرفی می شود که تعمیم مفهوم زیرمدول های اولیه کلاسیک است. سپس تجزیه زیرمدول ها و تجزیه مینیمال آن ها به زیرمدول های شبه اولیه کلاسیک بررسی می شود, به ویژه وجود و یکتایی تجزیه شبه اولیه کلاسیک زیرمدول ها در مدول های متناهی مولد روی حلقه های نوتری ثابت می شود. به علاوه نشان می دهیم تجزیه شبه اولیه کلاسیک و تجزیه اولیه کلاسیک زیرمدول ها زمانی که r‎...

در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی ‏‎gaas‎‏ توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی ‏‎(mbe)‎‏ ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی ‏‎gaas‎‏ روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه ‏‎n‎‏ رشد داده شده ر...

در این تحقیق، رفتار الکتروشیمیایی فولاد زنگ نزن 316 کم کربن و 321 در محلول شبیه سازی بتن (1/0 مولار هیدروکسید سدیم + 1/0 مولار هیدروکسید پتاسیم) با استفاده از آزمون های پلاریزاسیون پتانسیودینامیک، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی و موت- شاتکی بررسی شد. برای این منظور، لایه های رویین در پتانسیل مدار باز در مدت زمان های 1 تا 12 ساعت تشکیل و سپس آزمون های پلاریزاسیون پتانسیودینامیک، طیف سنجی امپدانس...

In this research, Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure was fabricated using spin coating of composite polymer and physical vapor deposition of metals. For this purpose, a thin layer of gold was coated on glass and then composite of polyaniline/multi-walled carbon nanotube was synthesized and spin-coated on gold layer. Finally, a thin layer of aluminum was coated on polymer layer. The ...