در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید نیکل به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. نخست، اثر غلظت محلول اولیه نیترات نیکل و دمای بستر بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک nio بررسی شد. نتایج این بررسی ها نشان داد که غلظت بهینه و دمای مناسب بستر برای تهیه لایه های نازک نانوساختار اکسید نیکل با رسانایی الکتریکی نوع-p و شفا...

لایه نازک با ترکیب شیمیایی Ti45Cu35Zr15Sn5 بوسیله روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم در اتمسفر آرگون و در دمای محیط تهیه گردید. بررسی ریزساختار توسط پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از وجود ساختار آمورف در لایه های نازک پس از کندوپاش می باشد. در این مقاله رفتار و سینتیک بلوری شدن لایه نازک شیشه ای با استفاده از آنالیز گرماسنجی روبشی تفاضلی بصورت همدما و غیرهمدما مورد بررسی قرار گرف...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

دراین پروژه ابتدالایه های نازک شفاف رساناوکاربردهای آن معرفی می شود.سپس روش های ساخت لایه های نازک ونیز برخی از روشهای مشخصه یابی این لایه ها مورد بررسی قرار می گیرد.درنهایت به مطالعه تاثیر پارامترهایی پرداخته می شود که در تعیین خواص لایه های نازک شفاف رسانا نقش عمده ای ایفا می کنند.

در این تحقیق لایه های نازک pb با ضخامت های مختلف به روش الکتروانباشت تک حمام و با استفاده از سه الکترود بر روی زیرلایه های مس و طلا تهیه شدند. برای به دست آوردن ولتاژ مناسب انباشت از مطالعه ولتامتر چرخه ای استفاده شد. ضخامت لایه های انباشت شده با استفاده از دستگاه dektak3 اندازه گیری شد. نانوساختار این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و الگوی پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت. ...

علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما می‌باشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته می‌شدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفاده می‌شوند. در اینجا ما روی پوشش با ذرات غبار از طریق ایجاد لایه نازک ZnO:Al کار می‌کنیم. ذرات غبار Zn وAl  می‌باشند....

در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏ اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی XRD با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزو حفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزو حفره ای آن شده است. الگوی XRD با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏ اکسید قبل و ب...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

یک دیود نورگسیل از یک لایه فیلم نازک ماده آلی یا غیر آلی تشکیل شده است که بین دو الکترود قرار می گیرد. با اعمال ولتاژ به الکترودها، الکترون ها و حفره ها به لایه آلی وارد می شوند و در آنجا تشکیل اکسایتون می دهند و سرانجام نور تولید شده از دیود خارج می شود. دیودهای نورافشان به دو دسته آلی و غیر آلی تقسیم می شوند. دیودهای نورافشان آلی در دو دهه گذشته مورد توجه بسیاری از جامعه محقیقن قرار گرفته است...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...