نتایج جستجو برای: ماسفت سیلیکون بر روی عایق
تعداد نتایج: 544567 فیلتر نتایج به سال:
قدرت تفکیک دستگاه طیفنگار جرمی به صورت مستقیم شدت یون خروجی و انرژی آن بستگی دارد. مقدار تولید شده جریان باریکه الکترونی وابسته است. از جمله وظایف مدار کنترل چشمه برخورد تنظیم برای رسیدن بهینه میباشد. در ساخت پارامترهایی نظیر تثبیت آن، دقیق پتانسل الکتریکی لنز الکترودهای یونی بسیار حایز اهمیت این مقاله با قابلیت انتشار الکترون، پتانسیل نقاط طراحی ساخته شد. کنترلر بر روی طیف نگار 44Varian MAT ...
در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...
ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق یکی از پر کاربرد ترین افزاره هاست. این فن آوری برای غلبه بر اثرات کانال کوتاه و کاهش جریان نشتی و کاهش خازنهای پارازیتی نقش مفیدی ایفا کرده است. همچنین با توجه به اهمیت کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق در طراحی مدارهای مجتمع rfبرای کاربردهای رادیویی و مخابراتی، ماهواره ها و سیستمهای بی سیم ، بهبود ساختار این افزاره ها مورد توجه اکید قرار گرفته ...
با توجه به اهمیت حذف یون استرانسیم موجود در پسابهای هستهای، کار حاضر ضمن سنتز لیگاندهای هیدروکسی بنزآلدهید پروپیل تری اتوکسی سیلان (Si-HL3(EtO)) و پیریدیل متیلیدین (Si-L3(EtO)) بررسی خصوصیات نانو ذرات سیلیکای اصلاح شده این لیگاندها عنوان جاذب جامد از محلول آبی پرداخته شد پارامترهایی مانند pH، زمان، جرم جاذب، دما یونهای مزاحم مورد آزمایش قرار گرفت. رفتار جذبی جاذبها نشان داد سطح توانای...
هدف ما در این پایاننامه تقویت پهنای باند مخابراتی است که با شبیهسازی ساختاری بنامcrow که به یون اربیوم آلائیده شده، انجام گرفتهاست. یون اربیوم به علت گسیلهای اپتیکی که در پهنای باند مخابراتی قرار دارند در تقویتکنندههای مخابراتی مورد استفاده قرار میگیرد. ولی همانطور که در فصل دوم بیان خواهد شد محدودیتهایی بر بهره ناشی از این یون حاکم است. برای شبیهسازی این ساختار ابتدا معادلات آهنگ مربو...
آلیاژهای منیزیم معمولاً دارای عدم تقارن تسلیم در حالت کشش و فشار هستند که این عامل ناشی از سازوکارهای مختلف تغییر شکل پلاستیک فعال تحت بارگذاریهای کششی فشاری است. مقاله بر روی شبیهسازی المان حجمی نمایندهی سهبعدی آلیاژ اکسترود شده تمرکز دارد تا با کمک روابط کریستال پلاستیسیته تأثیر شدت بافت پایه ـ را بررسی کند. پلاستیسته مبتنیبر لغزش بهصورت یک زیربرنامه نرمافزار آباکوس (UMAT) برای آزمون...
کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...
کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزاره?هایی است که در تکنولوژی soi ساخته می?شوند. روش?های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره?های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک?های اضافی از کاربردی?ترین روش?های افزایش ولتاژ شکست می?باشند. با توجه به اینکه کاهش میدان الکتریکی موجب افزایش ولتاژ شکست می?شود در نتیجه با کم کردن میدان الکتریکی در کانال می?توان ولتاژ شکست را ا...
فرزندپروری پس از طلاق یکی تکالیف حساس پیش روی والدین مُطلقه، و عوامل مؤثر در سلامت روانی فرزندان به شمار میآید. هدف این مطالعه کشف تبیین تجارب زیسته هموالدگری است. روش کیفی با استفاده پدیدارشناسی توصیفی انجام شد. جامعه پژوهش شامل کلیه والدینی بود که تجربه فرزندپروری را داشتهاند. برای تعیین حجم نمونه معیار اشباع داده شد نمونهگیری هدفمند تعداد 12 نفر (زن، مرد) انتخاب شدند مورد مصاحبه نیمه...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید