نتایج جستجو برای: ویفر

تعداد نتایج: 56  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1391

در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از سونش الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرcm ?/0 ± ?? و مقاومت ویژه ?.cm ?/?ـ?/?، در محلول الکترولیت برمبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. نمونه های متخلخل تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله زمان آندی سازی و غلظت hf بدست آمدند. خواص الکتریکی dc قطعات ساندویچی ساخته شده از سیلیکان متخلخل(ps) که با نانو لایه های کلروایند...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

در این پژوهش، مدل جدیدی برای میکروفون های خازنی mems، جهت استفاده در مدارهای مجتمع نشان داده شده است. این میکروفون دارای دیافراگمی به ضخامت (1?m)و ابعاد (0.5×0.5?mm?^2 ) می باشد. فاصله هوایی در نظر گرفته شده برای این میکروفون(1?m) می باشد. در طراحی این میکروفون، از یک دیافراگم شیار دار که بوسیله بازوهایی نگه داشتهمی شوند، استفاده شده است که سبب کاهش استرس در دیافراگم می شود و همچنین تعداد 16 حف...

در این مقاله، یک میکروفن خازنیMEMS  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می‌باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می‌شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می‌دهد. ‌تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ث...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2014
عارف نعیم زاد یوسف حجت

در این مقاله، یک گریپر مینیاتوری دو انگشتی انعطاف پذیر بر پایه نانوکامپوزیت مغناطیسی رئولوژیکال متخلخل با قابلیت تنظیم پیش بازشوندگی نوک فک طراحی و ساخته شده و چگونگی عملکرد آن مورد بررسی قرار می گیرد. ابتدا نانوکامپوزیت مغناطیسی رئولوژیکال متخلخل با حساسیت بالا در مقابل تحریک مغناطیسی ساخته شد و سپس این ماده در طراحی و ساخت گریپر به کار گرفته شد. گریپر ساخته شده با اعمال جریان الکتریکی، اشیاء ...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
شهرام سیدین sh. seyyedin سیدمحسن حسینی گلگو s. m. hosseini-golgoo محمد حسین قزل ایاغ m. h. ghezel ayagh فریما آگند f. agend

در این مقاله، نحوه ساخت و ارزیابی حسگرهای گاز مبتنی بر لایه نازک اکسید قلع نانوساختار به دو روش تبخیر گرمایی (نوع i) و کَند و پاش (نوع ii) نسبت به اتانول بررسی شده است. لایه نازک اکسید قلع برروی زیرلایه هایی از ویفر سیلیکن ایجاد و برروی آن ها عملیات حرارتی انجام شد. با استفاده از روش های ساختارسنجی و تحلیل مختلف sem)، afm، xrd و (eds ریزساختار بدنه های نیمه هادی مورد ارزیابی قرار گرفت. تصاویر se...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
نسترن نادمی کارشناس ارشد - دانشکده مهندسی برق – واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران جواد کرمدل دانشیار - دانشکده مهندسی برق – واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

در این مقاله، یک میکروفن خازنی m‏ems  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می دهد. تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ...

در این تحقیق، روشی ساده، کم‌هزینه و نوین برای ساخت ریزالکترودهایی در دو سمت کانال سیال به‌منظور کاربرد برای ریزمخلوط‌گر الکترواسمتیکی ارائه می‌شود. وجود الکترود در دو سمت ریزکانال، مشخصه‌های یکتا برای کاربردهایی مانند مطالعات سلول‌های زیستی، الکتروکینتیکس، دی‌الکتروفورسیس و غیره به همراه دارد. پروسه ساخت شامل لیتوگرافی نوری، لایه نشانی برای ایجاد الکترودها، انطباق دقیق و پیوند دو ویفر می‌باشد. ...

در این مقاله، یک میکروفن خازنیMEMS  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می‌باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می‌شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می‌دهد. ‌تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ث...

در این مقاله، یک سلول ‌خورشیدی ناهمگون با دو لایه ذاتی ریز‌بلوری با استفاده از نرم‌افزار AFORS-HET طراحی و بهینه‌سازی شده است. ساختار شبیه‌سازی به صورت TCO/a-Si:H(n)/µc-Si:H(i)/c-Si(p)/µc-Si:H(i)/BSF/TCO/Ag می‌باشد. با ثابت فرض کرن ضخامت لایه امیتر و لایه میدان سطحی تحتانی (BSF) اثر پارامتر‌های مختلفی مانند: تغییر ضخامت لایه ذاتی تحتانی، ضخامت ویفر، نقص چگالی لایه واسط و با استفاده از سه نوع مخ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید