چکیده: در این مقاله، ساختار پیشنهادی بر مبنای اینورتر منبع امپدانسی ارائه شده‌ است. در ساختار پیشنهادی دو ترانسفورماتور با سه سیم‌پیچ جایگزین دو سلف اینورتر منبع امپدانسی کلاسیک، شده ‌است. ساختار جدید، دارای ضریب تقویت بالاتری نسبت به سایر اینورترهای منبع امپدانسی، مستقل از  مقدار D است. همچنین به‌منظور دست‌یابی به شکل­موج خروجی با کیفیت بسیار بالا، شاخص مدولاسیون بسیار بزرگ (نزدیک به یک) در نظ...

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

مطالعه آنالیز شاخه ای پایداری دینامیکی ولتاژ درسیستم قدرت     نیما امجدی1،*، محمدرضا انصاری شهرضا2       اطلاعات مقاله     چکیده   دریافت مقاله: بهمن 1387   پذیرش مقاله: خرداد 1388     فروپاشی ولتاژ، یک پدیده طبیعتا غیرخطی می باشد و لذا برای مطالعه آن به روش های آنالیز غیرخطی نیازمند می باشیم. تئوری شاخه ای راهی مناسب برای مطالعه فروپاشی ولتاژ و راه های اجتناب از آن می باشد. درسیستم قدرت ممکن ا...

توانایی های مبدلهای کلیدزنی dc-dc، آنها را به جزء لاینفکی از تجهیزات الکتریکی تبدیل کرده است. از جمله این توانایی ها می توان به قابلیت پردازش توان در حجم مناسب ، بازده بالا و سادگی تطبیق با کاربردهای مورد نیاز، اشاره نمود. در کاربردهایی که به یک مبدل dc-dc غیرایزوله کاهنده با توانایی فراهم آوردن جریان بالا با ریپل کم نیاز است، مبدل باک درهم تنیده می تواند به عنوان بهترین گزینه مطرح شود. دلیل ای...

چکیده ندارد.

در این مقاله یک ساختار جدید برای اینورترهای سه فاز ارائه شده است که شامل یک ماژول چند سطحی، پل اینورتری سه فاز و بخش انتخاب سطوح میانی می باشد. مزیت اصلی این  ساختار در مقایسه با سایر توپولوژی ها، استفاده از تعداد کمتر سوئیچ و دیود جهت دستیابی به بیشترین سطح در ولتاژ خروجی می باشد. این ساختار متشکل از یک ماژول چندسطحی تک فاز، سه عدد کلید دو طرفه و یک عدد پل اینورتری سه فاز می باشد. از دیگر ویژگ...

درخواست‌ها برای تولید ولتاژ پالسی با دامنه‌های بالا بسیار زیاد شده است درحالی‌که ساختارهای سنتی و ارائه شده در سال‌های اخیر از تعداد ادوات کلیدزنی بالا و منابع ولتاژ با دامنه بالا رنج می‌برند. از این‌رو ساختارهای چندبرابرکننده به‌عنوان ساختارهای جایگزین به‌عنوان تولیدکننده‌های جدید برای توان پالس ارائه شده‌اند. در این مقاله، یک ساختار جدید برای مبدل‌های تولید پالس قدرت ارائه شده است که از یک ور...

در این مقاله، مبدل بهینه‌سازی ضریب توان یک‌طبقه با کلید‌زنی نرم برای راه‌اندازی دو رشته‌ از چراغ‌های LED ارائه شده است. در مبدل پیشنهادی، یک ترانسفورمر به یک ساختار نیم‌پل رزونانس سری نا‌متقارن اضافه شده است تا بتوان به جریان ورودی شکل داد. همچنین، شرایط کلید‌زنی نرم در جریان صفر (ZCS) و ولتاژ صفر (ZVS) برای کلید‌ها فراهم شده است. جریان‌های خروجی نیز با یکدیگر برابر و مستقل از ولتاژ خروجی‌اند ک...

در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای...