لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...

مطالعه و کاربرد بلورهای فوتونیکی در دهه‎ی اخیر به شدت افزایش یافته است، از بلورهای فوتونیکی یک بعدی در ساخت پوشش‎هایی با قابلیت انعکاس بالا و پایین برای آینه‎ها و لنزها بهره برده می‎شود. بلورهای فوتونیکی دوبعدی در تحقیقات کنونی از اهمیت بیشتری برخوردار بوده، بطوریکه که کاربردهای تجاری برای چنین ساختارهایی بوجود آمده‎است که لیزرها و فیبرهای بلور فوتونیکی از جمله این کاربردها می‎باشد. گرچه فعلا ج...

در این مقاله، خواص فازی امواج بازتابی از شبه بلورهای دو دوره ای یک بعدی متشکل از مواد تک منفی، با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. مشاهده می شود که با افزایش شمارنده مولد دو دوره ای، گاف باند همه سویه بزرگی در محدوده بسامدی تک منفی، تشکیل می شود. ما مطالعاتمان را به محدوده بسامدی این گاف باند پهن، محدود می کنیم. نتایج نشان می دهند که مقدار اختلاف فاز بین دو موج قطبیده الکتریکی عرضی و...

نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله...

در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4  بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...

در این مقاله ساختار تعادلی، خواص الاستیکی و مغناطیسی دو آلیاژ  و  با استفاده از نظریه تابعیت چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از روش پتانسیل کامل از طریق نرم افزار Wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برهمکنش کولنی درون جایگاهی در قالب روش GGA+U مورد استفاده قرار گرفته تا تأثیرات همبستگی ساختار الکترونی منظور گردد. تغییرات گاف نواری، یا در واقع همان گاف اسپینی با ثابت شبکه در ترکی...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

گرافین یک لایه تک اتمی از اتم های کربن می باشد که ساختار شبکه ای آن به صورت لانه زنبوری است و در حالت عادی دارای طیف انرژی بدون گاف می باشد. اما می توان با شکستن تقارن بین زیر شبکه های a و b در گرافین، در طیف انرژی آن گاف ایجاد کرد و همین امر باعث متفاوت شدن چگالی احتمال حضور فرمیون های دیراک در زیر شبکه های a و b شده و موجب بوجود آمدن یک قطبش شبه اسپینی غیر صفر در گرافین می شود. اگر گافی که در...