پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. با اضافه کردن یک لایه نازک به سطح به علت تداخل امواج الکترومغناطیسی، خواص تشعشعی سطح کاملا متفاوت خواهد بود. در این پروژه با استفاده از روش های الکترومغناطیسی، خواص تشعشعی یک ساختار چندلایه نازک محاسبه می شود و با استفاده از الگوریتم ژنتیک و عملیات حرارتی شبیه سازی شده، خواص چنین ساخت...

در سالهای اخیر بررسی اثرات همدوسی و تداخل کوانتومی از سیستم های اتمی و مولکولی به سیستم های نیمه هادی خصوصا در حالت های با ابعاد کاهش یافته گسترش پیدا کرده است. برهمکنش نور همدوس با مواد نیمه¬هادی، پدیده های کوانتومی بسیار جالبی را موجب می¬شود. از جمله این پدیده ها می توان به شفافیت القایی الکترومغناطیسی اشاره کرد. در این اثر تغییر خواص محیط اپتیکی درحضور میدان الکترومغناطیسی انجام می شود. در ا...

یکی از مشکلات مبدلهای سوییچینگ pwm تلفات بالای کلیدزنی و تداخل الکترومغناطیسی به علت سوییچینگ در ولتاژ و جریان غیر صفر است که فرکانس عملکرد را محدود می کند. به منظور کاهش حجم و وزن مبدل (با افزایش فرکانس ) و کاهش تلفات کلیدزنی روشهای کلیدزنی در ولتاژ و یا جریان صفر پیشنهاد می شود. در این مقاله چهار روش اصلی کلیدزنی در ولتاژ صفر(zvs) در مبدلهای پل معرفی و مقایسه شده اند. این چهار روش از لحاظ زما...

اندازه گیری جریان به روش معمول در ولتاژ بالا و در محیط با تداخل مغناطیسی بالا نیاز به دستگاه هایی دارد که از نظر عایق و محافظت دستگاه پیچیده می باشد. در این پایان نامه به بررسی امکان استفاده از یک سنسور برای اندازه گیری وتشخیص خطا در خطوط انتقال جریان با استفاده از اثر فارادی که مبتنی بر میدان مغناطیسی پرداخته شده است. در مرحله اول تکنیکهای نوری با تمرکز ویژه بر تکنیکهای سنجش نوری مورد بررسی قر...

شتاب¬گیری الکترون¬ها در نزدیکی مغناطوسپهر مستلزم تشریح افزایش شار الکترون¬های نسبیتی در طی طوفان¬های مغناطیسی در کمربندهای تشعشی زمین می¬باشد. مطالعات اخیر نشان می¬دهد که شتاب¬گیری الکترون ها توسط امواج مد ویستلر در خارج از پلاسماپوز نزدیک به ،(فاصله بر حسب شعاع زمین) مؤثرتراست. الکترون¬های پرانرژی به منطقه شکاف بین کمربند تشعشی داخلی و خارجی در طی فاز ریکاوری طوفان¬های مغناطیسی تزریق می¬شوند ،...

چکیده: اینورترهای منبع ولتاژی چندسطحی ساختار مناسبی را برای دستیابی به میزان توان بالا و شکل موجهای خروجی با کیفیت بالاتر ارائه میدهند. تاکنون، تحقیقات گستردهای در زمینه اینورترهای چند سطحی، استفاده شده در کاربردهای ولتاژ و توان بالا انجام گرفته است که به دلیل امتیاز آنها از قبیل: اعوجاج هارمونیکی کمتر شکل موجهای خروجی، تنش کمتر ولتاژ کلیدها و پایین بودن تداخل امواج الکترومغناطیسی سیستم، مورد ت...

در این پایان نامه دو ساختار جدید پیشنهاد می شود که در هر کدام از ساختار پیشنهادی از شبکه منبع امپدانسی به منطور افزایش و کاهش ولتاژ سیستم فتوولتائیک و اخذ حداکثر توان استفاده شده است. هم چنین به جای اینورتر معمولی از اینورتر چند سطحی استفاده شده است که قابلیت عملکرد در توان بالا و ولتاژ متوسط را دارند و دارای مزایایی مانند کیفیت توان بالا، هارمونیک پایین، تلفات کلید زنی پایین و تداخل الکترومغنا...

چکیده: اینورترهای منبع ولتاژی چندسطحی ساختار مناسبی را برای دستیابی به میزان توان بالا و شکل موجهای خروجی با کیفیت بالاتر ارائه میدهند. تاکنون، تحقیقات گستردهای در زمینه اینورترهای چند سطحی، استفاده شده در کاربردهای ولتاژ و توان بالا انجام گرفته است که به دلیل امتیاز آنها از قبیل: اعوجاج هارمونیکی کمتر شکل موجهای خروجی، تنش کمتر ولتاژ کلیدها و پایین بودن تداخل امواج الکترومغناطیسی سیستم، مورد ت...

از بین ساختارهای کوانتومی نیم رسانا، نقاط کوانتومی رفتار جالبی از خود نشان می دهند. یکی از این رفتارهای جالب وجود گذارهای اپتیکی بین زیر نوارها در نوار رسانش است. در آغاز دهه 90 قرن میلادی گذشته به منظور اصلاح انتشار نور درون یک محیط کدر شیوه ای موسوم به شفافیت القایی الکترومغناطیسی ارائه شد. در شرایط پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی که مبتنی بر همدوسی اتمی و تداخل کوانتومی ویرانگر است، با اس...

امروزه، با توجه به وجود وابستگی متقابل میان زیرساخت های حیاتی جامعه (نظیر برق، آب، گاز و غیره)، آسیب پذیری های ناشی از تهدیدات افزایش خواهد یافت؛ به طوری که اختلال در روند عادی یکی از آنها به واسطه بروز هر نوع تهدید، می تواند بر روی روند عادی زندگی و امنیت کلان جامعه، تاثیرات نامطلوبی بجا نهد. بر اساس یک دیدگاه، تهدیدات متصور برای یک سیستم قدرت، شامل حوادث طبیعی و انسان ساز است. هدف اصلی این تح...